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1、河北工業(yè)大學(xué)碩士學(xué)位論文探針游移對(duì)測(cè)試大型硅片微區(qū)薄層電阻的影響及仿真技術(shù)研究姓名:趙麗敏申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別:碩士專(zhuān)業(yè):儀器科學(xué)與技術(shù)指導(dǎo)教師:劉新201012iiTHEINFLUENCEOFPROBEWANERINGTOTESTINGSHEETRESISTANCEOFLARGESILICONRESEARCHONSIMULATIONTECHNOLOGYABSTRACTResistivityisaveryimptantperfmanceinde
2、xinsemiconductmaterialbecauseitwillinfluencetheperfmanceofthedevicedirectly.Wecangetsomeimptantinfmationsuchasthedopingcontentfrommeasuringit.Therefetestingthemicroareasheetresistancehasbecomeanimptantprocessinchipproces
3、sing.Fourpointprobetechnologyisaspecialmethodtomeasuretheresistivityofsemiconduct.AsameansofICtestingfourprobetechnologyhasimptantapplicationsindertomeettheneedsoftherapiddevelopmentofintegratedcircuitswehaveproposedhigh
4、ertestingrequirements:notonlysimplefastaccuratemustmeetthedeedsofeachprocess.Thisrequiresnotonlyneedperfectdesigntoolsstableproducingcapacityalsoneedreliabilityhighprecisiontestingmeans.Thispaperfirstintroducesthebackgro
5、undoffourprobetechniqueresearchstatusfuturetrendsbothathomeabroadapplicationclassificationoffourprobemethodanalyzestheprinciplesacteristicsofvariousmethodsfocusontheconventionallinerfourprobemethodmodifiedVanDerPauwmetho
6、dRymaszewskimethod.Analysistheinfluenceofprobewaveringusinglinerfourprobemethodthesquarefourprobemethodcomparedthem.Improvedthefourprobetestsystemlastsimulating.Theinnovationofthistopicasfollows:Onesystematicanalysisofth
7、einfluenctialfactsintheprocessoffourprobediscussthecrectionusingfiniteelementmethodtwomakefurtherresearchonthedetailofthetestincludingthechoiceofthetestcurrentprobethepositionoftheprobethreeanalysistheinfluenceofprobewav
8、eringusinglinerfourprobemethodthesquarefourprobemethodcomparedthemfourusingsimulationtechnologytodesignfour–probesystemrealizedatestfthemeasurementcalculatederroftheprobewer.KEYWDS:microareasheetresistancefourprobemeasur
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