硫族半導(dǎo)體光催化材料的修飾及其性能的研究.pdf

1、隨著工業(yè)的快速發(fā)展，廢水的種類和數(shù)量日益增加，環(huán)保意識(shí)薄弱和不合理的治污技術(shù)等原因?qū)е滤h(huán)境的污染問題越來越嚴(yán)重。目前許多物理和化學(xué)的方法也都被運(yùn)用去除廢水中的這些污染物，然而，這些方法大多具有效率低、能耗大、成本高、可能產(chǎn)生二次污染等問題。半導(dǎo)體光催化氧化技術(shù)是一種新型的現(xiàn)代化水處理技術(shù)，對多種有機(jī)物污染物有明顯的降解效果。但光催化氧化技術(shù)在實(shí)際應(yīng)用過程中還存在許多問題，如何對他們進(jìn)行進(jìn)一步的修飾，使他們更好的為人類服務(wù)是我們研究的目

2、的。
　　本文運(yùn)用用低溫共沉淀法合成網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的rGO/SnIn4S8，這種方法簡單、方便，而且光催化降解污染物羅明丹B的效率高，同時(shí)我們合成了ZnFe2O4/SnS2復(fù)合催化劑，通過摻雜石墨烯進(jìn)一步的來提高降解甲基橙的光催化效果，此外，在SnS2中摻雜g-C3N4進(jìn)行修飾，也使得光催化效果得到了很大的改進(jìn)。主要研究內(nèi)容如下：
　　(1)用低溫共沉淀法合成網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的rGO/SnIn4S8，研究摻雜不同比例的石墨烯對及SnIn4

3、S8光催化劑在可見光條件下光催化活性產(chǎn)生的影響。結(jié)果表明5％rGO/SnIn4S8的光催化效果最佳。
　　(2)用高溫共沉淀法合成ZnFe2O4/SnS2復(fù)合催化劑，同時(shí)摻雜石墨烯進(jìn)行修飾，使得光催化的效率有了明顯的提高。得出5%ZnFe2O4/SnS2/rGO（7wt%）光催化效果最佳。
　　(3)用高溫法合成SnS2。通過摻雜一定比例量的g-C3N4，來合成可見光響應(yīng)強(qiáng)、光催化活性高的g-C3N4/SnS2復(fù)合光催化劑，