數(shù)值模擬AAO納米光柵對(duì)薄膜硅太陽(yáng)能電池性能的提高.pdf_第1頁(yè)
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1、薄膜硅太陽(yáng)能電池因?yàn)橛昧可俪杀镜?，?yīng)用非常廣泛，但同時(shí)也面臨著效率較低的難題。目前已見(jiàn)報(bào)道的硅薄膜太陽(yáng)電池的最高效率約為15％，遠(yuǎn)低于體硅太陽(yáng)電池的25％。原因在于，隨著入射光波長(zhǎng)的增加，相應(yīng)的吸收系數(shù)迅速下降，吸收該波長(zhǎng)光子所需的吸收長(zhǎng)度大大增加，而薄膜電池厚度小，使得光子在電池中通過(guò)的路徑大大縮短，相當(dāng)一部分入射太陽(yáng)光子在被吸收和轉(zhuǎn)化為電子前即由電池直接逸出，而沒(méi)有被充分利用，從而引出對(duì)這部分光利用方法的研究。
　　 提高光

2、吸收對(duì)于薄膜硅太陽(yáng)能電池一直是一個(gè)重要的課題，因?yàn)槲障禂?shù)的極限接近于紅外光。在本文中，設(shè)計(jì)了一種新型的薄膜硅太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)，P層，I層，N層的厚度分別是20nm，1000nm，20nm。引入了AAO作為納米結(jié)構(gòu)光柵，并且理論分析了這種結(jié)構(gòu)的薄膜硅太陽(yáng)能電池的最優(yōu)AAO結(jié)構(gòu)參數(shù)，即AAO厚度是78.6nm，孔半徑為157.2nm，占空比為0.5。
　　 本文以基于FDTD的CST模擬仿真了帶有AAO光柵的薄膜硅太陽(yáng)能電池對(duì)光吸收

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