AAO納米光柵結構參數對薄膜硅太陽能電池光吸收的影響研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、本文以AAO納米結構分別作為表面減反光柵和背反射光柵設計了一種新型的薄膜硅太陽能電池。理論分析設計了AAO納米光柵結構參數。采用TracePro光線跟蹤軟件研究了不同占空比和光柵常數對薄膜硅光吸收的影響，得到了最佳的結構參數。理論分析結果表明，入射波長取AM1.5中數值最大的點對應的波長為532nm，表面減反光柵的光柵深度h表=75nm，最佳占空比f表=0.5，光柵常數應在152nm到532nm之間。背部反射光柵的最佳深度h背=78.6

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