雙斷口真空斷路器電弧磁場調(diào)控的研究.pdf

1、雙斷口真空斷路器利用串聯(lián)真空短間隙優(yōu)越的絕緣性能，避免了真空長間隙下?lián)舸╇妷号c真空間隙之間的飽和效應(yīng)，是未來替代SF6斷路器應(yīng)用于高壓領(lǐng)域的發(fā)展趨勢，近年來成為高壓電器領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。串聯(lián)真空電弧相關(guān)特性作為影響雙斷口真空斷路器性能的主要因素也受到廣大研究者越來越多的重視。雙斷口真空開關(guān)各串聯(lián)真空電弧由于開關(guān)的非同期性，電弧的發(fā)展過程，形態(tài)等與單斷口真空斷路器會(huì)有所不同，特別是串聯(lián)真空間隙弧后電壓分布不均勻，電弧之間的互相作用，對雙斷口

2、真空斷路器的性能有很大影響。本文針對串聯(lián)真空電弧間隙的相關(guān)問題，提出利用外加磁場的研究手段，采用理論分析、仿真與試驗(yàn)相結(jié)合方法對雙斷口真空斷路器電弧進(jìn)行了研究。
　　本文首先根據(jù)真空電弧的形成機(jī)理與特點(diǎn)，分析了自身觸頭產(chǎn)生的縱向磁場、橫向磁場和外加磁場分別對電弧發(fā)展與形態(tài)的影響，得到具有理論支撐的磁場對真空電弧的影響結(jié)果，為雙斷口真空電弧的磁場調(diào)控提供了合理有效的參考。
　　利用電磁場分析軟件，對橫縱磁場觸頭滅弧室進(jìn)行了磁場

3、仿真分析和多斷口真空斷路器的平行排列型布置方式對觸頭間隙磁場的影響仿真分析，并仿真分析了磁場分布與真空間隙長度和滅弧室間距的影響。得出各種仿真條件下磁場對電弧的影響結(jié)果。
　　通過理論計(jì)算與仿真相結(jié)合的分析方法，設(shè)計(jì)一種用于雙斷口真空電弧磁場調(diào)控試驗(yàn)的系統(tǒng)。系統(tǒng)包括可產(chǎn)生大小、方向可調(diào)磁場的磁場線圈、控制磁場線圈產(chǎn)生不同類型磁場的外電路和磁場調(diào)控系統(tǒng)的控制電路。此系統(tǒng)可產(chǎn)生強(qiáng)度0～800mT，脈寬2.5～50ms可調(diào)的磁場且性能良