C-C復合材料表面化學氣相沉積SiCw-SiC涂層的研究.pdf_第1頁
已閱讀1頁,還剩77頁未讀, 繼續(xù)免費閱讀

下載本文檔

版權說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內容提供方,若內容存在侵權,請進行舉報或認領

文檔簡介

1、SiC優(yōu)異的高溫性能使其成為碳/碳(C/C)復合材料高溫抗氧化涂層的首選。然而,SiC和C/C復合材料基體之間熱膨脹系數不匹配,導致SiC涂層的防護能力大打折扣。本文對在C/C復合材料表面引入SiCw涂層進行了系統(tǒng)地研究,通過常壓化學氣相沉積(CVD)在C/C復合材料表面催化生長碳化硅晶須(SiCw)及制備SiCw/SiC涂層,借助SEM、XRD、XPS、MTC分析了涂層的微觀形貌、組織結構與截面力學性能,并與無SiCw內涂層的SiC涂

2、層進行了比較,同時,對SiCw/SiC涂層的制備及防氧化能力受C/C復合材料基體密度的影響進行了研究,主要研究內容與結果如下:
   在C/C復合材料基體上浸漬金屬鹽,研究了浸漬催化劑種類(Fe、Co、Ni)、催化劑含量、沉積溫度和α=QH2/QMTS對催化生長SiCw涂層的影響,結果表明,浸漬Ni鹽的C/C基體比Co和Fe生成的SiCw整體層結構更好;Ni鹽的引入提高了SiC的沉積效率,而且隨Ni鹽加載量的增加,沉積總量趨于穩(wěn)

3、定,SiCw直徑減小,長徑比增加;同時,Ni催化加快了低溫段的沉積速率,使沉積效率提高了2-3倍。當α大于等于10時,催化生長出高長徑比的SiC納米晶須;α為10時SiCw的產率是最高的。
   在C/C復合材料上制備SiC涂層和SiCw/SiC,并研究了C/C復合材料基體密度對沉積及抗氧化性能的影響,結果表明,SiCw不僅可促成SiC等軸顆粒的細化和裂紋寬度減小,而且可促成涂層的織構發(fā)生改變;同時,SiCw處的孔洞使得內層Si

4、C涂層硬度低于外層,整個SiC涂層的硬度和彈性模量也降低了。低密度基體(1.2±0.1g/cm3)上催化制備SiCw涂層,沉積效率得到了改善、飽和增重率得到了提高。同時裂紋也得到了抑制。因此,SiCw涂層的引入改善了該基體上SiC涂層在1200℃的氧化防護能力。此外,對比不同密度的基體,催化并未改變基體本身的孔隙形態(tài),加載前后的吸附曲線的類型是相同的。低密度基體的孔隙多,內壁能夠附著的催化劑也多,因而比表面減少的也較多。同時,低密度試樣

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯系上傳者。文件的所有權益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網頁內容里面會有圖紙預覽,若沒有圖紙預覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經權益所有人同意不得將文件中的內容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內容的表現方式做保護處理,對用戶上傳分享的文檔內容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內容負責。
  • 6. 下載文件中如有侵權或不適當內容,請與我們聯系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準確性、安全性和完整性, 同時也不承擔用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評論

0/150

提交評論