2023年全國碩士研究生考試考研英語一試題真題(含答案詳解+作文范文)_第1頁
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文檔簡介

1、近幾十年來,寬禁帶化合物半導(dǎo)體ZnO材料由于其自身擁有的諸多優(yōu)點(diǎn)而越來越受到研究者的重視,然而其p型材料制備的困難依然是制約其在光電器件方面大力發(fā)展的瓶頸。本論文的主要研究思想在于從ZnO的結(jié)構(gòu)方面尋求p型摻雜研究的突破。主要是利用分子束外延(MBE)的技術(shù)分別在ZnO(10-10)和MgO(100)兩種襯底上分別同質(zhì)和異質(zhì)外延生長了纖鋅礦ZnO(10-10)和立方ZnO(001)兩種非極性的薄膜。并對ZnO(10-10)薄膜進(jìn)行了摻氮

2、的初步探索研究。采用原位的反射高能電子衍射(RHEED)、原位的掃描隧道顯微鏡(STM)、異位的原子力顯微鏡(AFM)、異位的X射線衍射(XRD)對所生長的薄膜進(jìn)行細(xì)致的結(jié)構(gòu)分析;采用X射線光電子能譜(XPS)和透射譜進(jìn)行薄膜的成分和電子結(jié)構(gòu)的表征。
  第一部分工作的研究結(jié)果表明,ZnO(10-10)襯底上可得到表面比較平整的同質(zhì)外延的無摻雜ZnO(10-10)薄膜;氮的摻入明顯改變了ZnO(10-10)的表面形貌,且N元素在薄

3、膜中的成鍵狀態(tài)會隨著N與O的氣壓比例的變化而變化,通過適當(dāng)?shù)恼{(diào)控,可出現(xiàn)N替代O這種有利于ZnO的p型摻雜的缺陷。
  第二部分工作的主要結(jié)果是利用“三步驟”的方法,在MgO(100)襯底上外延生長了通常在高壓環(huán)境下制備的立方結(jié)構(gòu)的ZnO薄膜。經(jīng)檢測推斷,樣品的表面薄膜層(約5nm厚)為ZnO相,緩沖層為ZnMgO相。緩沖層和薄膜層均可能順延了襯底MgO的巖鹽礦結(jié)構(gòu)。由于立方的ZnO相對于纖鋅礦的結(jié)構(gòu)在p型摻雜方面具有一定的優(yōu)勢,

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