相場法對AZ31鎂合金納米晶粒生長、異常長大的模擬研究.pdf

1、納米晶材料具有非常奇特的物理和機械性能，納米材料的開發(fā)和研究一直十分活躍，因此，了解納米晶生長的機制，從而提高納米晶材料制備的效率，控制納米材料的顯微組織，是非常有價值的熱點研究。而隨著計算機的出現(xiàn)，材料中顯微組織、演變機理和性能的模擬研究已經(jīng)成為現(xiàn)代材料科學(xué)的重要組成部分。另一方面，鎂合金作為21世紀綠色環(huán)保工程材料之一，日益廣泛用于工業(yè)界各個方面，但其時效強化效果不佳，因而晶粒的納米化也許是鎂合金打破應(yīng)用瓶頸的潛力方案。另外，對于實

2、際合金納米多晶等溫生長的模擬還未見報導(dǎo)，因此本文將運用相場法，模擬研究AZ31鎂合金納米晶不同退火溫度下的生長演變。
　　已有研究建立了真實時空的微米尺度的多晶長大相場模型，本研究擴展了該模型到納米尺度。模型改進了之前使用的局域自由能密度表達式，以模擬真實時空多晶AZ31鎂合金從納米到微米尺度晶粒生長的全過程。針對初始狀態(tài)的變化，重新研究了模擬參數(shù)的物理取值，通過模擬計算得知，納米晶的晶界作用域取值必須在保持物理意義的前提下取最大

3、值，因此必須覆蓋相鄰的兩個納米晶粒，大約是從40nm到400nm，而微米晶界作用域取一個較大的1.2μm左右的值。系統(tǒng)地考察了各個模擬參數(shù)的取值與顯微組織演變的關(guān)系，實現(xiàn)了從納米到微米晶粒的生長全過程的模擬。
　　本研究模擬了不同溫度下不同尺度AZ31鎂合金晶粒長大的演變過程，與實驗結(jié)果進行了比較。模擬結(jié)果表明納米晶界面能較微米晶界面能值小，同時研究發(fā)現(xiàn)納米晶粒生長速度遠低于微米晶，模擬結(jié)果得到了有限的文獻中實驗結(jié)果的驗證。晶粒生

4、長指數(shù)從納米結(jié)構(gòu)到微米結(jié)構(gòu)由5逐漸降為2，該模擬結(jié)果也與實驗結(jié)果相一致。論文針對納米晶生長的特點，通過其界面能動性和界面能低的物理性質(zhì)進行了機理討論。
　　本研究還考察了納米晶結(jié)構(gòu)和微米晶結(jié)構(gòu)中晶界處成分偏析的情況。模擬結(jié)果發(fā)現(xiàn)納米晶結(jié)構(gòu)中溶質(zhì)原子在晶界處的偏析比微米晶更嚴重，而溫度對不同尺度晶粒的晶界偏析影響相同，這可能是導(dǎo)致納米晶具有較低的界面能動性的原因。本研究繼續(xù)模擬了納米結(jié)構(gòu)和微米結(jié)構(gòu)AZ31鎂合金中Al原子擴散微觀因素

5、對晶界偏析和晶粒長大的影響。得到了如下結(jié)論:Al成分的分布在彎曲界面附近比平直界面附近更加不均勻;擴散遷移率的取值越大，晶界偏析程度越高;當(dāng)擴散遷移率的值取到足夠大時，繼續(xù)變化擴散遷移率，其對生長過程中晶粒平均尺寸的影響很小。
　　另外，本文模擬研究了納米晶與微米晶等溫晶粒長大后的混晶度。研究表明，隨退火時間的延長，納米晶的混晶度增幅比微米尺度更明顯。因此，本研究建議通過控制退火時晶粒長大過程，在納米結(jié)構(gòu)中引入少數(shù)異常長大的晶粒以

6、提高塑韌性，同時又不降低強度，這也許會成為改善納米材料性能的一種新方法。因此，本文模擬研究了納米結(jié)構(gòu)AZ31鎂合金中晶粒異常生長的規(guī)律，模擬發(fā)現(xiàn)，通過控制局域儲存能，或界面能，或界面能動性三個微觀因素，可以實現(xiàn)在納米基體中出現(xiàn)局部的晶粒異常生長，以構(gòu)造期望的晶?；旌系睦硐腼@微組織。但模擬表明局部這三個因素的差異必須分別大于臨界值才能發(fā)生晶粒異常長大:局域應(yīng)變儲能必須高于基體平均儲能的1.60倍，局域界面能需低于平均值的0.76，而局域界

7、面能動性要大于平均值的3倍。模擬還發(fā)現(xiàn)，局域擴散遷移率的改變及初始混晶不能導(dǎo)致局域晶粒的異常長大。
　　最后，本文模擬了含不同尺寸、數(shù)量、球形第二相顆粒的納米結(jié)構(gòu)AZ31鎂合金中晶粒的長大過程，研究了第二相粒子對單相合金系統(tǒng)晶粒組織演化和生長動力學(xué)的影響。模擬結(jié)果表明:納米晶組織中第二相粒子對晶粒長大的釘扎作用，與對微米晶組織下的作用有很大區(qū)別:納米結(jié)構(gòu)中第二相粒子對晶粒長大影響存在一個粒子尺寸的臨界值，在臨界值以下，顆粒的尺寸越