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文檔簡介
1、本文選擇用金做催化劑CVD法分別制備了反應(yīng)時(shí)間為35min和50min的ZnSe納米帶,并對(duì)35min的產(chǎn)物在700℃Zn氛圍下進(jìn)行退火處理,退火時(shí)間分別為20min、50min和75min。并對(duì)這些產(chǎn)物進(jìn)行SEM、TEM和XRD結(jié)構(gòu)表征、成分分析、光學(xué)和光電性質(zhì)的測試。其主要結(jié)果歸納如下:
(1)反應(yīng)時(shí)間為35min的ZnSe納米帶TEM結(jié)構(gòu)表征結(jié)果顯示納米帶中邊沿區(qū)域存在晶界、堆積層錯(cuò)和孿晶這些結(jié)構(gòu)缺陷。微區(qū)光譜和PL m
2、apping說明這些缺陷導(dǎo)致本征態(tài)發(fā)光強(qiáng)度很弱并伴隨著表面態(tài)峰的出現(xiàn)。這個(gè)表面態(tài)峰通過高斯擬合可以由三個(gè)峰組成,其波長分別為535nm、560nm和635nm。PL mapping還在空間分辨上顯示了結(jié)構(gòu)與光學(xué)性質(zhì)的關(guān)系,邊沿區(qū)域的缺陷多于中間區(qū)域。變功率光譜進(jìn)一步證明這三個(gè)表面態(tài)的出現(xiàn),也說明他們每個(gè)能級(jí)的性質(zhì)。定功率變溫光譜說明這三個(gè)能級(jí)的載流子在弛豫過程中存在一定的通道。通過XRD表征說明ZnSe是屬于閃鋅礦結(jié)構(gòu)。
(2
3、)反應(yīng)時(shí)間為50min的ZnSe納米帶的TEM結(jié)構(gòu)表征證明了缺陷的存在。表面光電壓測試和Kelvin測試也證明了納米帶缺陷的存在,這與表征結(jié)果相對(duì)應(yīng)。同時(shí)表面光電壓測試和Kelvin測試的接觸電勢差和表面功函判斷出此ZnSe是n型半導(dǎo)體。相圖表明光生電子向背光方向移動(dòng)。
(3)退火75min后的產(chǎn)物經(jīng)TEM表征和成分分析知道產(chǎn)物中幾乎不存在缺陷,這說明在Zn氛圍下退火可以減少缺陷。同時(shí)證明缺陷最主要由于缺少Zn引起的。隨著退火
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