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1、基于較大的禁帶寬度(3.34eV)和較強(qiáng)的激子束縛能,氧化鋅(ZnO)在光電子應(yīng)用領(lǐng)域,諸如紫外激光、p-type摻雜和場(chǎng)發(fā)射已經(jīng)引起了很大的興趣。隨著納米技術(shù)不斷的提高和快速的發(fā)展,探索和研究納米尺度ZnO的制備方法,一維納米結(jié)構(gòu)ZnO的光電子器件和技術(shù)的特性和應(yīng)用顯得很有實(shí)用價(jià)值和潛在的應(yīng)用前景。 本文討論了幾種制備納米結(jié)構(gòu)氧化鋅水熱方法,利用SEM,TEM,HRTEM,XRD等表征手段對(duì)所制備的納米結(jié)構(gòu)ZnO進(jìn)行了形貌上的
2、分析。利用具體的實(shí)驗(yàn),通過反應(yīng)溶液中酸堿度,溶液濃度等反應(yīng)條件的變化得到不同形貌的產(chǎn)品,從而定性地分析反應(yīng)條件對(duì)產(chǎn)品的影響。根據(jù)晶體生長(zhǎng)理論BFDH和PBDH理論,討論水熱反應(yīng)中納米結(jié)構(gòu)氧化鋅的生長(zhǎng)機(jī)理。通過所制備的納米碟狀結(jié)構(gòu)ZnO的PL譜和拉曼譜的對(duì)應(yīng)圖像來(lái)分析ZnO六角碟中的缺陷空間分布。利用具體實(shí)驗(yàn)樣品的PL譜分析其發(fā)光與其能級(jí)結(jié)構(gòu)的關(guān)系,其中包括ZnO本征的紫外發(fā)光和由其缺陷結(jié)構(gòu)而導(dǎo)致的可見光區(qū)域發(fā)光。利用簡(jiǎn)單的水熱方法制備出
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