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文檔簡介
1、隨著MOS器件尺寸的縮小，其過剩噪聲日益增加，且過剩噪聲主要成分逐漸從熱噪聲轉(zhuǎn)變?yōu)樯⒘Ｔ肼?。本文基于納米MOSFET輸運(yùn)機(jī)制的改變以及熱噪聲和散粒噪聲的物理起源，在納米MOSFET準(zhǔn)彈道輸運(yùn)電流模型的基礎(chǔ)上，推導(dǎo)了其過剩噪聲主要成分轉(zhuǎn)變的條件，由該轉(zhuǎn)變條件能準(zhǔn)確預(yù)測納米MOSFET的噪聲特性。為了定量描述納米MOSFET電流噪聲，本文推導(dǎo)了納米器件電流噪聲的散射理論統(tǒng)一模型，該模型適用于器件從相干輸運(yùn)到非相干輸運(yùn)的整個(gè)輸運(yùn)范圍，并同時(shí)考
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