流水線ADC的BLMS數(shù)字校準(zhǔn)算法研究及實(shí)現(xiàn).pdf

1、隨著半導(dǎo)體工藝的發(fā)展，流水線ADC的設(shè)計(jì)正向全數(shù)字結(jié)構(gòu)的校準(zhǔn)方向發(fā)展，因此使得功耗、誤差估計(jì)、設(shè)計(jì)難度、芯片面積等有了很大的改善。尤其是在亞微米級(jí)、深亞微米級(jí)和納米級(jí)的CMOS工藝下，可以采用大規(guī)模的數(shù)字校準(zhǔn)技術(shù)，使得模擬電路的性能要求和設(shè)計(jì)難度大大降低。因此，目前在很多流水線ADC設(shè)計(jì)中，大多都引入了數(shù)字校準(zhǔn)技術(shù)，并且這種趨勢(shì)會(huì)在今后會(huì)更加明顯。
　　首先，分析了流水線ADC的結(jié)構(gòu)，總結(jié)了ADC的性能指標(biāo)，對(duì)非理想因素建立了誤差

2、模型，包括比較器失調(diào)誤差、子DAC誤差、ADC失調(diào)誤差、運(yùn)放增益誤差、運(yùn)放非線性誤差。然后，根據(jù)近十年來(lái)的國(guó)內(nèi)外研究成果，總結(jié)了流水線ADC的數(shù)字校準(zhǔn)技術(shù)，并將其分類為五大類：碼域均衡、分裂法、跳補(bǔ)法、離線法和PN注入，并分別對(duì)每種技術(shù)做出了優(yōu)缺點(diǎn)分析。
　　同時(shí)，本文還研究了一種BLMS的數(shù)字校準(zhǔn)算法，該校準(zhǔn)技術(shù)能夠在后臺(tái)模式下，自適應(yīng)的校準(zhǔn)流水線ADC的線性和非線性誤差。結(jié)合一個(gè)200MS/s的流水線ADC，仿真結(jié)果顯示，在輸