考慮懸浮啞元的互連電路寄生電容提取算法研究.pdf

1、隨著集成電路信號頻率的提高和集成電路特征尺寸的減小，越來越多在集成電路發(fā)展初期影響甚微的物理效應(yīng)逐漸成為制約集成電路性能提升的主要因素。作為其中的代表性因素，互連線寄生效應(yīng)不僅會增加電路中的信號延遲，還會帶來信號完整性方面的問題，甚至?xí)_亂電路的邏輯功能，影響電路的正常工作。
　　與此同時，為解決化學(xué)機械拋光(CMP)工藝所帶來的芯片平整度問題，啞元填充(Dummy Fills)技術(shù)被越來越廣泛地使用。然而，電路中存在的大量啞元單

2、元不僅大幅增加了電路的寄生電容值，也向傳統(tǒng)的寄生電容提取算法提出了新的挑戰(zhàn)。如何快速而準確地提取含有大量啞元的電路寄生電容，已經(jīng)成為計算機輔助設(shè)計領(lǐng)域中的重要問題，對于提高集成電路性能和成品率有著重要意義。
　　針對含啞元電路的寄生電容提取問題，本文提出了一種考慮懸浮啞元的結(jié)構(gòu)化隨機行走寄生電容提取算法。本文首先利用區(qū)域分解技術(shù)，將電路中的啞元區(qū)域分離，并根據(jù)區(qū)域內(nèi)部啞元單元的分配特點，對啞元區(qū)域進行再劃分;然后，對于再劃分后具有

3、標準幾何結(jié)構(gòu)的子啞元區(qū)域，計算其馬爾可夫轉(zhuǎn)移矩陣（Markov Transition Matrix/MTM）;最后，本文提出了基于概率轉(zhuǎn)移的隨機行走算法，將傳統(tǒng)的階躍式隨機行走過程拆分為3個子過程——啞元區(qū)域內(nèi)的概率轉(zhuǎn)移過程、啞元區(qū)域內(nèi)的隨機行走過程和外部區(qū)域的隨機行走過程。
　　在計算電路的寄生電容矩陣時，本文方法不僅可以有效利用啞元陣列在幾何結(jié)構(gòu)和單元分布上的特點，還可以通過對標準啞元結(jié)構(gòu)建立宏模型，提高MTM計算結(jié)果的復(fù)用率