GIS盆式絕緣子表面電荷分布對(duì)沿面閃絡(luò)的影響.pdf

1、氣體絕緣金屬封閉開(kāi)關(guān)設(shè)備GIS(GasInsulatedSubstation)由于其占地面積少，絕緣性能好等優(yōu)點(diǎn)已經(jīng)廣泛應(yīng)用于我國(guó)變電站建設(shè)中。實(shí)際運(yùn)行中的GIS在交流電壓和沖擊電壓作用下盆式絕緣子表面會(huì)積聚表面電荷，表面電荷的存在會(huì)使得局部電場(chǎng)發(fā)生畸變，導(dǎo)致絕緣子沿面閃絡(luò)的發(fā)生，但是，目前對(duì)于GIS盆式絕緣子表面電荷的分布以及影響程度不清楚，因此有必要研究SF6氣體下盆式絕緣子表面電荷積聚特性以及表面電荷積聚對(duì)其沿面閃絡(luò)的影響。

2、>　　本文在實(shí)際的220kVGIS裝置上，建立了盆式絕緣子表面電荷測(cè)量系統(tǒng)，研制了可用于實(shí)際GIS盆式絕緣子表面電荷測(cè)量的三維操控機(jī)構(gòu)，能夠帶動(dòng)探頭對(duì)盆式絕緣子表面進(jìn)行全徑向，全角度的掃描，移動(dòng)控制精度分別為1mm和1°。測(cè)量系統(tǒng)斜面探頭的電荷分辨率可達(dá)0.02106pC/(m2·nV)，探頭的空間分辨率為6.3mm2，弧面探頭的電荷分辨率可達(dá)0.0303pC/(m2·nV)，探頭的空間分辨率為4.4mm2。
　　本文在實(shí)際的22

3、0kVGIS表面電荷測(cè)量試驗(yàn)平臺(tái)上，對(duì)直流電壓、交流電壓和沖擊電壓作用下盆式絕緣子表面電荷分布和積聚特性進(jìn)行了研究，發(fā)現(xiàn)在交流電壓作用下絕緣子出現(xiàn)表面電荷積聚，主要積聚負(fù)電荷。在直流電壓作用下，表面電荷具有極性效應(yīng)，正極性下絕緣子表面主要分布正電荷，負(fù)極性下表面電荷均為負(fù)電荷。在正負(fù)極性沖擊電壓作用下，絕緣子表面都存在正負(fù)電荷的累積，而且負(fù)電荷幅值比正電荷大。
　　研究了直流和交流電壓作用下GIS盆式絕緣子表面電荷對(duì)其沿面閃絡(luò)特性