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1、ndex:0433UDC535SourhwestUniversitYofScienceandTechnOlogyMasterDegreeThesiSUpconversionluminescencematerialsofEr3dopedBaTi03basedperovskitestructure2009Lei0herlMasterMaterialsPhYsicsandChemistryProfXianhuaWei北吖Ⅵ吖‰m掣~_暑№~Ⅲ
2、。帥卻鈾“嗽西南科技大學(xué)碩士研究生學(xué)位論文第2頁(yè)摘要稀土發(fā)光材料由于其色純度高、能量轉(zhuǎn)換效率高、熒光壽命長(zhǎng)以及對(duì)抗輻照穩(wěn)定性強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn),目前已經(jīng)廣泛應(yīng)j;Ij于固體激光器、三維立體顯示器、光電通訊、太剛能電池、生物熒光標(biāo)阻等領(lǐng)域。本論文采用溶膠一凝膠法、高溫固十H法,圍繞Er摻雜鈣鈦礦結(jié)構(gòu)材料的結(jié)構(gòu)和發(fā)光性能進(jìn)行了系統(tǒng)的研究,其結(jié)果對(duì)結(jié)構(gòu)探針領(lǐng)域的應(yīng)用縣有一定的意義。其主要內(nèi)容包括以下:采用溶膠一凝膠法制備了Er:BaTi03(BTO)薄
3、膜研究了Er:BTO薄膜的制備工藝,并控制Ba/Ti比,制備了Er替代BTO1;同品格位置的薄膜,并對(duì)兵結(jié)構(gòu)、形貌以及發(fā)光性能進(jìn)行了研究,結(jié)果表明薄膜的結(jié)晶對(duì)發(fā)光性能有較大影響,其熒光分支比不同反映了Er占據(jù)BTO的格位信息。為了能更好地反映Er占據(jù)格位對(duì)發(fā)光性能的影響,我們采用高溫固相法制各了Er:BTO粉體,并研究了Er濃度以及替代位置對(duì)E轉(zhuǎn)換發(fā)光性能的影響。其發(fā)光性能的變化與Er占據(jù)不同位置引起的晶體場(chǎng)對(duì)稱(chēng)性的改變有關(guān)。另外,根據(jù)
4、電荷補(bǔ)償原理在BTOA樣品A位共摻Li,在BTOB樣品B位共摻Nb”結(jié)果發(fā)現(xiàn)二者的發(fā)光強(qiáng)度都得到了顯著的提高。根據(jù)晶體場(chǎng)理論,基質(zhì)相結(jié)構(gòu)改變必然會(huì)引起發(fā)光性能的變化。f^1此我們采用高溫固相法制備了Ba。Srl,,Ti03:Er粉體,通過(guò)改變Ba/Sr比柬控制基質(zhì)柞『結(jié)構(gòu)的變化,并研究其對(duì)發(fā)光性能的影響。隨著粉體柏結(jié)構(gòu)從立方至四方相的改變,其發(fā)光強(qiáng)度越來(lái)越強(qiáng)且峰形劈裂程度電越來(lái)越明顯。這主要是l相結(jié)構(gòu)改變導(dǎo)致E一周呵晶體場(chǎng)的對(duì)稱(chēng)性降低所
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