ZnO納米線場(chǎng)效應(yīng)晶體管的制備及I-V特性研究.pdf

1、本文采用納米線制備、組裝、測(cè)試及分析方法，利用單根ZnO納米線制備了ZnO納米線場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)。研究了器件各種參數(shù)對(duì)器件I-V特性的影響，同時(shí)，論文還介紹了納米ZnO和半導(dǎo)體微納電子器件的最新研究進(jìn)展及國內(nèi)外熱點(diǎn)研究問題。本論文共四章，主要分為：
　　 (1)介紹了納米科技的基礎(chǔ)知識(shí)，納米材料的基本性能及相應(yīng)的應(yīng)用領(lǐng)域；對(duì)國內(nèi)外納米材料及微納半導(dǎo)體器件的研究進(jìn)展進(jìn)行了綜述，對(duì)典型的微納半導(dǎo)體器件進(jìn)行了分類，并對(duì)相應(yīng)的工作

2、原理進(jìn)行了闡述。
　　 (2)介紹了ZnO半導(dǎo)體納米線的各種制備方法，并運(yùn)用化學(xué)氣相沉積法(CVD)在各種條件下制備了實(shí)驗(yàn)所需的ZnO納米線，并對(duì)制備的ZnO納米線進(jìn)行了分析表征。
　　 (3)利用制備的單根ZnO納米線，制作了三種不同金屬電極的ZnO納米線FET。主要方法如下：首先，在Si片上生長一層SiO2絕緣層，本文中采用的是熱氧化法；然后在Si片鍍一層薄金屬膜，我們?cè)趯?shí)驗(yàn)過程中共選取了三種金屬(Au、Zn、Al)

3、分別蒸鍍?cè)赟i片表面，再利用離子刻蝕技術(shù)在每種金屬膜上分別刻蝕一條隔離溝道，溝道的兩邊分別作為FET的緣極和漏極，背面的Si層作為柵極；借靜電探針和原子力顯微鏡的幫助，選一根ZnO納米線橫放在兩個(gè)金屬電極上，制備出簡(jiǎn)單的ZnO納米線FET。
　　 (4)對(duì)不同ZnO納米線FET器件進(jìn)行I-V測(cè)試和分析；通過多次實(shí)驗(yàn)，分析ZnO納米線FET的輸運(yùn)性質(zhì)以及其影響因素。I-V特性曲線顯示了理想二極管的整流特性。研究發(fā)現(xiàn)這些自發(fā)形成的肖