F等離子體處理增強型AlGaN-GaN HEMT的可靠性研究.pdf

1、本文重點研究了藍寶石襯底上的F等離子體處理增強型AlGaN/GaN HEMT的可靠性。首先，采用分步光刻的方法在同一圓片上成功制備不同F(xiàn)等離子體處理條件的增強型和耗盡型 AlGaN/GaN HEMT器件，對器件的初始特性進行了測量，其中F等離子體處理條件(120W,130s)的增強型器件的閾值電壓達到0.75V，最大電流為661mA/mm，最大跨導為280mS/mm，器件特性良好。其次，對比研究了增強型和耗盡型AlGaN/GaN HEM

2、T器件的電流崩塌現(xiàn)象，結合器件的C-V特性，得出F等離子體處理在器件中引入新的快態(tài)陷阱的結論。然后重點對比研究了幾種典型電壓應力對增強型和耗盡型AlGaN/GaN HEMT器件的特性影響。研究表明：F等離子體處理在器件中引入類似深能級受主的雜質(zhì)，且器件中F離子不穩(wěn)定，在長時間電壓應力的影響下，增強型器件出現(xiàn)閾值電壓負漂，柵極漏電快速增加，飽和電流增大等現(xiàn)象。最后，對比研究了溫度對增強型和耗盡型 AlGaN/GaN HEMT器件特性的影響