微晶硅薄膜的制備及其在太陽電池中的應用.pdf

1、微晶硅薄膜材料具有電導率高、光照穩(wěn)定性好和較寬的光譜響應等優(yōu)點,是近年來熱門的太陽電池材料。本文采用甚高頻等離子增強化學氣相沉積技術(VHF-PECVD)制備微晶硅薄膜研究了微晶硅薄膜的制備工藝,并對微晶硅太陽電池的制備進行了初步研究,研究內容和結果如下:
　　研究了硅烷濃度、襯底加熱溫度、輝光功率和沉積時間對微晶硅薄膜的結構和性能的影響。研究表明,隨硅烷濃度增加,薄膜的暗電導降低,光敏性增加,晶化程度下降,硅烷濃度為4％~5%的

2、區(qū)間是微晶硅/非晶硅的過渡區(qū);襯底加熱溫度增加,薄膜的暗電導增加,光敏性減小,晶化程度上升,襯底加熱溫度為500℃時薄膜的晶化程度較好;輝光功率增加,薄膜暗電導增加,光敏性減小,薄膜的晶化程度上升;微晶硅薄膜的生長隨沉積時間的增加表現(xiàn)出不均勻性,沉積速率隨時間增加而加快,暗電導增加,光敏性下降,晶化程度上升。
　　對單結pin型微晶硅太陽電池的制備進行初步研究。通過工藝優(yōu)化,獲得VOC=0.403V,JSC=27.45mA/cm2