儲(chǔ)存環(huán)中高次諧波腔的有關(guān)計(jì)算研究.pdf

1、在電子儲(chǔ)存環(huán)中，高次諧波腔可以被用來(lái)改變束團(tuán)長(zhǎng)度。對(duì)于中低能電子儲(chǔ)存環(huán)，束流壽命主要受到托謝克散射的制約。利用高次諧波腔增加束團(tuán)長(zhǎng)度不僅可以增加束流壽命，而且對(duì)束流能散度和光源的亮度影響也很小。此外，特殊條件下在高亮度儲(chǔ)存環(huán)對(duì)撞機(jī)、儲(chǔ)存環(huán)自由電子激光和時(shí)間分辨實(shí)驗(yàn)中使用高次諧波腔可有效縮短束團(tuán)尺寸。本論文以合肥光源的參數(shù)為例計(jì)算研究了在儲(chǔ)存環(huán)中使用高次諧波腔拉伸和壓縮束團(tuán)長(zhǎng)度的相關(guān)問(wèn)題。
　　 根據(jù)美國(guó)先進(jìn)光源的Byrd先生所提

2、出的關(guān)于儲(chǔ)存環(huán)中諧波腔的分析模型，計(jì)算得到在均勻填充模式下加入四次諧波腔后理論上束團(tuán)長(zhǎng)度可以被拉伸到39mm，束流壽命大約為原來(lái)的2.75倍。論文計(jì)算研究了被動(dòng)式高次諧波腔的常失諧和常電壓兩種主要的工作模式。特別是我們發(fā)展了一個(gè)基于多束團(tuán)單粒子模型的縱向運(yùn)動(dòng)跟蹤程序，用于跟蹤計(jì)算被動(dòng)式高次諧波腔對(duì)束團(tuán)的影響。該程序不但能跟蹤計(jì)算束團(tuán)均勻填充的情況，還能跟蹤計(jì)算束團(tuán)非均勻填充的情況。跟蹤結(jié)果表明對(duì)于合肥光源的參數(shù)在非均勻填充模式下不能對(duì)束

3、團(tuán)進(jìn)行很好的拉伸。
　　 論文研究了使用高次諧波腔壓縮束團(tuán)的相關(guān)理論，并首次給出了諧波腔壓縮束團(tuán)時(shí)的最優(yōu)壓縮條件。在該條件下，計(jì)算結(jié)果表明束團(tuán)最短可以被壓縮到7mm左右。論文還計(jì)算了加入諧波腔前后的同步頻散，用于探討使用諧波腔壓縮束團(tuán)時(shí)對(duì)朗道阻尼的影響。
　　 我們首次提出在電子儲(chǔ)存環(huán)中應(yīng)用雙模腔的技術(shù)，期望能節(jié)約儲(chǔ)存環(huán)的空間和成本。腔中的兩個(gè)縱向單極模分別與高頻腔和諧波腔在儲(chǔ)存環(huán)中的作用相當(dāng)。我們還提出了一種適用的雙模