用于SIMS分析的LED芯片樣品制備.pdf

1、本文在分析LED芯片結(jié)構(gòu)和組分以及影響SIMS深度分辨因素的基礎(chǔ)上采用CMP技術(shù)對垂直結(jié)構(gòu)LED芯片進(jìn)行加工。通過使用拋光劑對LED芯片進(jìn)行減薄和平坦化處理,再利用奧林巴斯顯微鏡來對所制得樣品表面進(jìn)行觀察和分析,并從中選出表面質(zhì)量較好的樣品;再利用臺階儀在篩選出來的樣品表面進(jìn)行粗糙度的測定并尋找粗糙度比較小的區(qū)域,最后利用SIMS對篩選出來的區(qū)域進(jìn)行深度剖析。本實(shí)驗(yàn)獲得了以下研究成果:
　　(1)樣品本征粗糙度、濺射深度以及測試過

2、程中的展寬效應(yīng)都會(huì)對SIMS深度分析產(chǎn)生很大的影響,因此為了提高測試結(jié)果的準(zhǔn)確性,除了改善SIMS測試條件,還需對不同的樣品進(jìn)行不同的優(yōu)化處理使其滿足SIMS分析的要求;
　　(2)由于LED芯片結(jié)構(gòu)的特殊性,SIMS無法直接對其進(jìn)行深度分析,尤其是垂直結(jié)構(gòu)的LED芯片,因其表面經(jīng)過了粗化處理且n-GaN比較厚,因此在進(jìn)行SIMS分析前需對芯片進(jìn)行減薄和平坦化處理;
　　(3)GaN具有很大的硬度和脆性且不易溶于酸堿,一般的

3、超精密方法無法對其進(jìn)行有效的加工處理,而利用CMP方法可以使GaN達(dá)到一個(gè)很好的表面平整度;
　　(4)利用CMP加工LED芯片是一個(gè)很復(fù)雜精密的過程,為了提高樣品加工后的質(zhì)量,整個(gè)過程應(yīng)采用循序而進(jìn)的加工方式:粗拋—細(xì)拋—精拋。
　　(5)經(jīng)CMP加工后的LED芯片具有不同的表面質(zhì)量,需利用奧林巴斯顯微鏡從中篩選出質(zhì)量好的樣品,這里對“表面質(zhì)量好”的定義為樣品表面比較完好或是存在少許裂紋。
　　(6)通過臺階儀來尋找