版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)
文檔簡介
1、納米尺寸的硅鍺材料結(jié)構(gòu),其力學(xué)性質(zhì)、電學(xué)性質(zhì)和力電耦合性質(zhì)均受到應(yīng)變效應(yīng)、界面效應(yīng)、組分效應(yīng)、量子限制效應(yīng)等微觀效應(yīng)的影響。這些微觀效應(yīng)的影響讓諸如納米線、納米管和納米膜之類的硅鍺納米材料表現(xiàn)出了優(yōu)秀的機(jī)電特性。本文立足于密度泛函理論,利用VASP(ViennaAb-initio Software Package)軟件包對<112>方向硅納米線、鍺納米線和徑向硅鍺異質(zhì)結(jié)納米線進(jìn)行了第一性原理計(jì)算研究,重點(diǎn)研究了不同表面重構(gòu)、不同硅鍺組分
2、、不同異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)納米線的力學(xué)性質(zhì)、電學(xué)性質(zhì)和壓阻性質(zhì)。本文的具體研究內(nèi)容和所取得的研究結(jié)果如下:
(1)本文在對表面氫飽和<112>方向硅鍺異質(zhì)結(jié)納米線進(jìn)行研究時(shí)發(fā)現(xiàn),氫飽和處理可以有效的抑制在表面裸露納米線中起重要作用的界面效應(yīng);不同異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)的氫飽和<112>方向硅鍺異質(zhì)結(jié)納米線的楊氏模量和超胞長度隨硅鍺組分變化呈現(xiàn)線性變化;外部應(yīng)變對氫飽和<112>方向徑向異質(zhì)結(jié)納米線的間接帶隙能帶和電導(dǎo)率具有一定的調(diào)制作用,甚至導(dǎo)致帶
3、隙類型變化;氫飽和<112>方向三明治層狀硅鍺異質(zhì)結(jié)納米線,由于其界面效應(yīng)受到氫飽和處理的抑制,使得具有清晰異質(zhì)結(jié)界面的納米線和具有混合異質(zhì)結(jié)界面的納米線在應(yīng)變條件下表現(xiàn)出大小相當(dāng)?shù)膲鹤栊?yīng);氫飽和<112>方向核殼硅鍺異質(zhì)結(jié)納米線由于核殼結(jié)構(gòu)內(nèi)部存在的本征應(yīng)變使得其對不同類型應(yīng)變的敏感度不同,但也均表現(xiàn)出可觀的壓阻系數(shù),其中<112>方向Ge2SicoreH核殼納米線在2.5%拉應(yīng)變條件下壓阻系數(shù)高達(dá)-116×10-11Pa-1,而S
4、i2GecoreH和Si1GecoreH核殼類型異質(zhì)結(jié)納米線在2.5%壓應(yīng)變條件下的壓阻系數(shù)可分別達(dá)到23×10-11Pa-1和65×10-11Pa-1;進(jìn)行N型和P型摻雜的氫飽和<112>方向硅鍺異質(zhì)結(jié)納米線在相應(yīng)應(yīng)變條件下同樣具有不俗的壓阻效應(yīng),但是由于氫飽和處理的限制,其壓阻特性并不比無摻雜納米線的壓阻特性優(yōu)越。
(2)本文在對表面裸露<112>方向核殼硅鍺異質(zhì)結(jié)納米線進(jìn)行研究時(shí)發(fā)現(xiàn),在裸露<112>方向核殼硅鍺異質(zhì)結(jié)納
5、米線中,楊氏模量和品格常數(shù)隨硅鍺組分變化基本呈現(xiàn)線性變化,且楊氏模量大于等尺寸的氫飽和<112>方向核殼硅鍺異質(zhì)結(jié)納米線,唯有Si1Gecore納米線由于其鍺內(nèi)核對單層硅外殼的撐裂作用致使其{111}和{110}側(cè)面的表面重構(gòu)不牢固,納米線楊氏模量偏小;無應(yīng)變條件下,Si1Gecore由于特殊的表面重構(gòu),其能帶結(jié)構(gòu)表現(xiàn)出金屬特性,其余納米線表現(xiàn)出半導(dǎo)體特性;應(yīng)變條件下,Si1Gecore的電學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定,導(dǎo)電性能良好,Si2Gecor則由
6、于核殼異質(zhì)結(jié)納米線內(nèi)部存在的本征應(yīng)變,在2.5%拉應(yīng)變下表現(xiàn)出優(yōu)秀的壓阻特性,壓阻系數(shù)可達(dá)260×10-11Pa-1,而Si_pure在2.5%拉應(yīng)變下壓阻系數(shù)可達(dá)32.7×10-11Pa-1,且隨拉應(yīng)變的增加,仍保留上升空間,Ge_pure納米線的壓阻系數(shù)在應(yīng)變條件下則表現(xiàn)出優(yōu)秀的穩(wěn)定性。
(3)本文在對新型應(yīng)變計(jì)進(jìn)行研究時(shí)發(fā)現(xiàn),利用硅鍺異質(zhì)結(jié)納米線的超大壓阻效應(yīng),采用陣列硅鍺異質(zhì)結(jié)納米線作為應(yīng)變計(jì)敏感源,可以有效地提高應(yīng)變
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- 硅納米線、硅鍺異質(zhì)結(jié)納米線應(yīng)變效應(yīng)的第一性原理研究.pdf
- 硅-鍺異質(zhì)結(jié)納米線的結(jié)構(gòu)和電子特性研究.pdf
- 硅鍺異質(zhì)結(jié)納米線、硅納米管力電耦合性質(zhì)的研究.pdf
- 絕緣體上應(yīng)變硅和硅鍺異質(zhì)結(jié)的微結(jié)構(gòu)研究.pdf
- 應(yīng)力對體硅和硅納米線特性影響的第一性原理研究.pdf
- 殼層摻雜硅納米線的第一性原理研究.pdf
- 鍺硅納米線陣列的磁輸運(yùn)特性研究.pdf
- 一維硅納米材料及鎳硅異質(zhì)結(jié)納米線的制備和表征.pdf
- 硅納米線-硅薄膜異質(zhì)結(jié)太陽電池制備及性能研究.pdf
- 鈷團(tuán)簇、金團(tuán)簇和硅納米線的第一性原理研究.pdf
- 鍺硅核殼型納米線器件量子輸運(yùn)性質(zhì)的實(shí)驗(yàn).pdf
- 硅-鍺 核殼納米線楊氏模量的理論研究.pdf
- SOI基鍺硅弛豫研究及絕緣體上應(yīng)變硅材料制備.pdf
- 鍺硅核殼型納米線器件量子輸運(yùn)性質(zhì)的實(shí)驗(yàn)研究.pdf
- 硅納米線陣列的可控制備及新型異質(zhì)結(jié)太陽電池研究.pdf
- 硅鍺異質(zhì)結(jié)構(gòu)中失配位錯(cuò)演化及應(yīng)變釋放機(jī)理的分子模擬.pdf
- 硅鍺核殼納米線的帶隙漂移和光吸收性質(zhì)的應(yīng)變調(diào)制.pdf
- 硼和磷摻雜的硅和鍺納米晶體的制備及應(yīng)用.pdf
- 鍺硅光波導(dǎo)及光器件的研究.pdf
- 室溫磁致冷材料錳鍺,錳鍺硅,錳鍺銻系列合金磁熱效應(yīng)的研究.pdf
評論
0/150
提交評論