N型半導體金屬有機聚合物的設計、合成與性能研究.pdf

1、本論文設計合成了一系列N型有機半導體材料，并研究了這些材料的結構和性能，具體如下：
　　1．合成了一系列含有9,9-二氰甲基芴類聚合物和二聚體，這些聚合物和二聚體的LUMO能級在-3.62~-3.75eV之間。薄膜紫外吸收表明這些聚合物和二聚體的帶隙在1.84-2.02eV之間。這些材料在普通溶劑中具有較好的溶解性，適用于制作工藝簡單的濕法加工。
　　2．合成了一系列含有環(huán)芴二噻吩嵌段和苯并二噻吩嵌段的共聚物，通過TGA測試

2、了這幾個共聚物的熱分解溫度，P1-P7的初始分解溫度分別為282℃，333℃，332℃，321℃，323℃，331℃和334℃，說明這幾個共聚物均具有比較好的熱穩(wěn)定性。通過測試聚合物的溶液、薄膜的紫外吸收和熒光發(fā)射研究了其光物理性能。通過邊帶吸收，計算出聚合物P1-P7的光學帶隙分別為2.08，1.65，1.36，2.03，2.10，1.86，1.81eV。
　　3.合成了兩個主鏈上含有苝酰亞胺和鉑炔基的二聚體，通過噻吩數(shù)的變化對

3、化合物的帶隙進行調節(jié)，通過邊帶吸收計算出兩個二聚體的光學帶隙分別為1.47eV和1.38eV，說明隨著噻吩個數(shù)的增加，化合物的帶隙降低。兩個化合物在普通溶劑中有良好的溶解性并具有良好的熱穩(wěn)定性。通過循環(huán)伏安法測試，測得化合物的HOMO能級和LUMO能級分別為-5.59eV，-5.40eV和-4.17eV，-4.18eV?；谌芤杭庸すに噷@兩個小分子制備 OFET器件，結果表明：這兩個小分子具有雙極性的性質，空穴遷移率分別為1.35×1