基于光調(diào)控的有機(jī)場效應(yīng)晶體管非易失性存儲器的研究.pdf

1、有機(jī)場效應(yīng)晶體管存儲器具有制備工藝簡單，可設(shè)計(jì)性強(qiáng)，可非破壞性讀取，可與柔性基底集成等眾多優(yōu)點(diǎn)，因而受到研究者的廣泛關(guān)注。作為替代或者補(bǔ)充現(xiàn)有無機(jī)半導(dǎo)體存儲技術(shù)的有機(jī)半導(dǎo)體存儲技術(shù),有機(jī)場效應(yīng)晶體管存儲器具有極大的研究價值和經(jīng)濟(jì)前景。但是目前有機(jī)場效應(yīng)晶體管存儲器的高性能和數(shù)據(jù)存儲的穩(wěn)定性以及存儲機(jī)制等問題急需解決。
　　本論文介紹了有機(jī)場效應(yīng)晶體管存儲器的發(fā)展歷史、種類以及工作機(jī)理，并設(shè)計(jì)制備了一系列具有光電存儲性質(zhì)并且性能穩(wěn)定

2、的有機(jī)場效應(yīng)晶體管存儲器，并對其工作機(jī)理進(jìn)行了探討。
　?。?）設(shè)計(jì)并制備了基于Si/SiO2/PVK/Pentacene/Au器件結(jié)構(gòu)的有機(jī)場效應(yīng)晶體管存儲器，以Pentacene／PVK作為功能層，研究了存儲器件的光電存儲性質(zhì)。應(yīng)用光照作為信息寫入擦除的編程方法在單極性存儲器件上實(shí)現(xiàn)了雙極性存儲，在電存儲基礎(chǔ)上拓展了光電存儲的信息寫入擦除方式。這種雙極性存儲器件的電子存儲時間和空穴存儲時間能夠維持在104s以上，開關(guān)比分別維持

3、在103和104，表現(xiàn)出穩(wěn)定的雙極性存儲特性。
　?。?）研究了納米浮柵型的有機(jī)場效應(yīng)晶體管存儲器，設(shè)計(jì)并制備了基于 Si/SiO2/PMMA/Au NPs/PVK/Pentacene/Au結(jié)構(gòu)的有機(jī)場效應(yīng)晶體管存儲器，以 Au納米粒子作為浮柵層，器件的Au納米粒子浮柵通過真空蒸鍍法制備，制備工藝簡單，可控性強(qiáng)。探究了金納米浮柵型有機(jī)場效應(yīng)晶體管存儲器的光電存儲特性，應(yīng)用光照作為信息寫入擦除的信息編程方式，器件表現(xiàn)出良好的光電存儲