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1、隨著科學(xué)技術(shù)的不斷發(fā)展,人們對(duì)于信息存儲(chǔ)的容量、傳播的速度又提出了更高的需求。集成光路比集成電路的傳輸損耗大大降低,并且具有容量很大、速度很快的優(yōu)點(diǎn),完全實(shí)現(xiàn)之后將會(huì)大大提高能源的利用率。鈮酸鋰是一種多功能光電材料,廣泛用于集成光路的器件研制中。硅/鈮酸鋰 pn結(jié)是光電集成的核心器件。
鐵電體光伏效應(yīng)區(qū)別于經(jīng)典光伏效應(yīng),能夠產(chǎn)生比禁帶寬度高多個(gè)數(shù)量級(jí)的光生電壓。但由于鐵電體的電導(dǎo)通常較小,輸出電流非常弱,因此很難直接制備鐵電體
2、太陽(yáng)能電池。相比于鈮酸鋰體材料的單晶,薄膜由于其微米數(shù)量級(jí)的厚度,在偏壓作用下產(chǎn)生比體材料高幾個(gè)數(shù)量級(jí)的電流,對(duì)此,我們希望能夠?qū)⑩壦徜嚤∧づc太陽(yáng)能電池結(jié)合,提高光電轉(zhuǎn)換效率。
基于以上背景,我們開(kāi)展硅基鈮酸鋰薄膜基礎(chǔ)性研究,論文主要包含以下幾方面內(nèi)容;
第一章,對(duì)于鈮酸鋰晶體的發(fā)展、特征、性能做了介紹,闡述了制備鈮酸鋰薄膜的幾種方法以及優(yōu)缺點(diǎn),然后對(duì)鐵電體的光生伏打效應(yīng)做了概述,最后簡(jiǎn)述了本論文的研究意義和工作安排
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