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文檔簡介
1、碳化硅(Silicon Carbide)半導(dǎo)體材料憑借臨界擊穿電場(chǎng)高、熱導(dǎo)率高、熱載流子飽和漂移速度高、抗輻照能力強(qiáng)等特點(diǎn),已經(jīng)成為國際功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。與 Si基功率器件相比,SiC功率半導(dǎo)體器件及模塊不僅功率更大,而且開關(guān)損耗和系統(tǒng)體積也降低一半以上。國內(nèi)在SiC MOSFET功率器件的研究方面才剛剛起步,與國際水平差距還比較顯著。本文立足于國內(nèi)科研單位的工藝平臺(tái),設(shè)計(jì)優(yōu)化了擊穿電壓1700V4H-SiC DMOS晶體管結(jié)構(gòu)
2、參數(shù),繪制了器件版圖,并進(jìn)行了流片實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證和測(cè)試分析,為后續(xù)國內(nèi)1700V SiC DMOS晶體管的應(yīng)用研究提供了理論支持和技術(shù)指導(dǎo)。
本論文首先利用半導(dǎo)體二維數(shù)值分析軟件Silvaco的器件模擬模塊Atlas對(duì)擊穿電壓1700V的4H-SiC DMOS元胞結(jié)構(gòu)參數(shù)進(jìn)行設(shè)計(jì),折衷優(yōu)化柵氧化層厚度、JFET寬度、溝道長度和P_base區(qū)濃度等器件結(jié)構(gòu)參數(shù)對(duì)擊穿電壓、閾值電壓和導(dǎo)通電阻的影響。其次在確定元胞參數(shù)后,考慮到曲率效應(yīng),
3、分別研究了場(chǎng)板終端、單步刻蝕型 JTE終端和場(chǎng)限環(huán)終端對(duì)器件擊穿電壓的影響。此外,針對(duì)高電場(chǎng)應(yīng)力下SiC DMOS器件的柵介質(zhì)容易發(fā)生FN隧穿,從而降低器件可靠性的問題,研究了一種降低FN隧穿效應(yīng)的基于SiO2和HfO2等高K材料組成的SiC MOS復(fù)合柵結(jié)構(gòu)。
接下來本文對(duì)經(jīng)過1300℃高溫氧化并在NO氣體中退火的4H-SiC MOS電容界面特性進(jìn)行研究。測(cè)試結(jié)果表明,高溫氧化后NO退火能夠降低SiO2/SiC界面態(tài)密度,而
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