非揮發(fā)存儲(chǔ)產(chǎn)品紫外線擦除性能的研究.pdf

1、本文以集成電路工程中日益常用的非揮發(fā)存儲(chǔ)產(chǎn)品為研究對(duì)象，從其信息擦除過程中所實(shí)際遇到的工程問題切入，深入研究與擦除性能相關(guān)的工藝參數(shù)，并以此結(jié)論指導(dǎo)集成電路工藝調(diào)整，解決了信息擦除的問題，提升產(chǎn)品良品率。
　　本文深入介紹集成電路中非揮發(fā)存儲(chǔ)器的應(yīng)用背景與工作原理，包括信息寫入，讀取以及擦除操作。后引入實(shí)際生產(chǎn)實(shí)踐中所遇到的良品率問題，進(jìn)行失效分析與驗(yàn)證，確定為非揮發(fā)存儲(chǔ)器紫外線擦除性能不佳后，創(chuàng)新地在生產(chǎn)流程末端紫外線照射操作之

2、后引入一道晶圓煉選測(cè)試，并證明其能有效反映存儲(chǔ)器的紫外擦除性能。以此測(cè)試的失效率為指標(biāo)，針對(duì)可能影響信息擦除性能的工藝參數(shù)，特別是鈍化層沉積工藝環(huán)節(jié)作深入討論，并選取其中一些重要參數(shù)，如薄膜厚度與反射系數(shù)進(jìn)行晶圓流片試驗(yàn)。從工藝?yán)囼?yàn)測(cè)試結(jié)果中，細(xì)致分析各參數(shù)的影響，最終得到影響擦除性能的參數(shù)與紫外線照射時(shí)間，鈍化層厚度，以及反射系數(shù)之間的敏感度關(guān)系。以此結(jié)論，指導(dǎo)制造工藝做出相應(yīng)調(diào)整，將產(chǎn)品失效率從12％降低至0.1%以下，解決了信