大功率IGBT串并聯(lián)技術研究.pdf

1、隨著IGBT技術的成熟和發(fā)展，以及IGBT的耐壓和通流能力不斷加強，作為大功率全控型器件，IGBT在大功率和特大功率應用中逐漸顯示出了比GTO，BJT，IGCT等的優(yōu)越性。然而在較大功率應用中，單個IGBT的容量仍然不能滿足要求，為了提高電力電子裝置的功率等級，需要多個IGBT的串聯(lián)和并聯(lián)來提高容量。
　　本文首先介紹和分析了IGBT的基本結構、工作原理、靜態(tài)和動態(tài)特性以及基本參數(shù)。在此基礎上歸納了IGBT串聯(lián)和并聯(lián)技術的主要應用

2、場合，并總結了國內外IGBT串聯(lián)和并聯(lián)技術。
　　然后從自身參數(shù)和外圍電路兩方面分析了引起IGBT串聯(lián)電壓不均衡的原因，對引起IGBT串聯(lián)電壓不均衡的原因進行了歸納和總結。在此基礎上討論了傳統(tǒng)RCD方法的可行性和局限性。同樣，對引起并聯(lián)IGBT電流不均衡原因進行了分析和歸納，并介紹了采用柵極增加互感器實現(xiàn)IGBT并聯(lián)電流均流的可行性和局限性。
　　針對IGBT串聯(lián)電壓不均衡問題，提出了一種基于柵極控制的IGBT串聯(lián)均壓方法，

3、并對其結構和原理進行了闡述和分析，并對電路結構參數(shù)的選擇和優(yōu)化進行了研究，然后通過PSPICE論證了該方法的可行性，并與傳統(tǒng)的RCD方法比較了該方法的優(yōu)越性。
　　針對傳統(tǒng)RCD緩沖電路的局限性，提出了一種負載側控制的IGBT串聯(lián)均壓方法，同樣對其結構和原理進行了詳細的闡述和分析，然后通過PSPICE驗證表明該方法能很好地實現(xiàn)串聯(lián)IGBT電壓的均衡，并與傳統(tǒng)的RCD方法比較了其優(yōu)越性。
　　最后研究了通過柵極電阻調節(jié)實現(xiàn)IG