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文檔簡介
1、電介質材料是電子和微電子器件等的核心材料,電子技術的快速發(fā)展對電子元器件的性能提出了更高的要求,相應的便對電介質材料的性質提出了更高的要求。巨介電材料指的是介電常數(shù)大于1000的材料,由于其介電常數(shù)大,所以使用巨介電材料所制成的電子元器件便可以在更小的體積內儲存更多的電荷和能量,使得器件的尺度大大縮小,集成度大大提高。
雖然許多電介質材料的介電常數(shù)已經完全足夠達到器件小型化的要求,但是由于其溫度穩(wěn)定性較差,所以無法實際應用。后
2、來在CaCu3Ti4O12和復合鈣鈦礦材料A(Fe0.5B0.5)O3(A=Ba,Ca,Sr;B=Ta,Nb,Sb)中發(fā)現(xiàn)了巨介電常數(shù)臺階的現(xiàn)象,人們圍繞著這一現(xiàn)象展開了許多研究。實驗中發(fā)現(xiàn)CSTF-CBO(B=Ti,Mn)復合陶瓷中具有類似于CaCu3Ti4O12的巨介電臺階的現(xiàn)象,這使得其在一定的溫度范圍內同時具有較高的介電常數(shù)和較好的溫度穩(wěn)定性。為了探究其巨介電臺階的起源,需要對其性質進行了深入的研究。
本論文首先采用傳
3、統(tǒng)的固相反應法制備CSTF-CBO(B=Ti,Mn)系列的復合陶瓷,對制備的流程進行詳細的介紹。然后用掃描電子顯微鏡觀察了所制備陶瓷的微觀形貌,研究其晶粒結構、致密性和相組成等信息。然后通過對樣品的X射線衍射圖譜的分析,研究其微觀結構和相組成,以及二者隨組分的變化關系。
測試CSTF-CBO(B=Ti,Mn)系列復合陶瓷的介電性能。測量樣品的介溫譜和損耗譜,通過分析介電損耗峰的位置獲得其介電弛豫的激活能,測量樣品的X射線光電子
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