2023年全國碩士研究生考試考研英語一試題真題(含答案詳解+作文范文)_第1頁
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文檔簡介

1、采用直流磁控濺射法制備Cu-Ga合金預(yù)制層,然后在固態(tài)硫的氣氛中退火,成功的制備出了CuGaS2薄膜。濺射功率分別為15、30、45、60、80和100W的條件進(jìn)行實驗,最終在30W下制備的Cu-Ga合金薄膜原子比符合化學(xué)計量比。Cu-Ga合金薄膜在450、500、550和600℃的條件下分別進(jìn)行硫化處理。薄膜的XRD物相、化學(xué)元素組成、表面形貌和光學(xué)特性依次進(jìn)行表征。結(jié)果表明退火溫度450℃,形成了單一黃銅相結(jié)構(gòu)CuGaS2,成分富銅

2、、貧鎵和硫,屬于(I(4)2d)空間點群;600℃時晶格常數(shù)為a=b=5.3544(A),c=10.4707(A)。不同溫度退火的CuGaS2薄膜光學(xué)帶隙分別為2.31eV、2.34eV、2.40eV和2.46eV,因此擁有寬帶隙的CuGaS2是形成中間帶的最佳基體材料。Ti摻雜的CuGaS2薄膜也是采取相同的工藝。XRD圖譜顯示Ti元素的摻雜會使(112)峰向左發(fā)生偏移。0.53 at.% Ti摻雜CuGaS2光學(xué)帶隙為2.27eV,

3、0.82 at.% Ti摻雜CuGaS2為1.98eV。
  Sn摻雜的CuMS2(M=In,Ga)薄膜是采用粉末涂敷法制備的,首先通過球磨法制備粉體料漿,然后利用旋涂工藝在襯底上進(jìn)行涂敷,干燥后在600℃Ar氣氛圍中進(jìn)行熱處理20分鐘。Sn摻雜的CuMS2(M=In,Ga)薄膜的XRD圖譜顯示CuMS2為黃銅礦結(jié)構(gòu),并且沒有雜相,都屬于(I42d)空間點群。同時。Sn摻雜CuInS2的(112)峰向左發(fā)生偏移,Sn摻雜CuGaS

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