可剝離超薄載體銅箔的電沉積研究.pdf

1、銅箔是制造印制電路板(PCB)的關(guān)鍵性導(dǎo)電材料。隨著PCB朝著多層化、薄型化、高密度化、高速化方向發(fā)展，對(duì)具有超薄、低輪廓、高強(qiáng)度、高延展性等高品質(zhì)的銅箔的需求愈加緊迫。所以超薄銅箔的制備和剝離問(wèn)題已經(jīng)成為銅箔行業(yè)的研發(fā)熱點(diǎn)。本文旨在尋求新的單一或復(fù)合的有機(jī)剝離層組分，能夠在載體表面一次吸附成膜，用于制備最小厚度不超過(guò)4μm的超薄載體銅箔。
　　本文用于形成剝離層的有機(jī)物有三種，包括苯并三氮唑(BTA)、噻唑類化合物MAT、以及M

2、AT和植酸的混合物，其中BTA是作為參照物加以實(shí)驗(yàn)。采用恒電流法在35μm厚度的載體銅箔上沉積超薄銅箔，優(yōu)化有機(jī)吸附液濃度及吸附時(shí)間、沉積電流密度、沉積溫度和沉積時(shí)間;采用光學(xué)顯微鏡和掃描電子顯微鏡對(duì)所制備的超薄銅箔進(jìn)行表面形貌表征;采用Tafel法和交流阻抗法分析各種剝離層對(duì)銅沉積電子傳遞過(guò)程的影響。
　　結(jié)果表明，在銅箔沉積過(guò)程中，剝離層本性及吸附量、電流密度、溫度等因素對(duì)超薄銅箔的表面均勻性和可剝離性有明顯的影響，且不同剝離

3、層對(duì)銅沉積電子傳遞過(guò)程的影響差異甚大。BTA剝離層對(duì)銅沉積反應(yīng)的阻力很大，且形成有效剝離層的BTA濃度高達(dá)10 g·L-1，制得的銅箔最小厚度為8μm。MAT剝離層對(duì)銅沉積反應(yīng)的阻力遠(yuǎn)小于BTA，形成有效剝離層的MAT濃度不超過(guò)1.0 g·L-1，制得的銅箔為片層狀結(jié)晶、表面平整的低輪廓銅箔，最小厚度不超過(guò)4μm。將植酸引入MAT中形成復(fù)合剝離層，使銅沉積反應(yīng)的阻力大為增加，制得的銅箔最小厚度進(jìn)一步減小為3μm，但銅箔的表面形貌對(duì)電流密