FinFET SRAM總劑量效應研究.pdf

1、SRAM是航天電子系統(tǒng)中關鍵的輻射敏感芯片。當前，CMOS集成電路工藝已推進到16nm，器件結構演變?yōu)槿龞沤Y構的FinFET，由于器件結構發(fā)生了顯著變化，其輻射效應也不同于平面柵結構的MOSFET，開展基于FinFET的SRAM輻射效應研究十分必要。
　　論文從總劑量效應損傷機理出發(fā)，采用Sentaurus TCAD軟件，建立了FinFET器件三維模型，開展了FinFET器件總劑量效應仿真分析，并同平面結構MOSFET的總劑量效應

2、仿真結果進行了對比，結果表明FinFET器件抗總劑量的水平優(yōu)于普通MOS器件。以器件級仿真結果為基礎，采用Candence軟件工具，開展了SRAM中存儲單元、讀出放大電路等敏感電路的仿真分析，獲得了敏感電路的電學性能變化和漏電流變化；以電路仿真結果為基礎，分析總結了SRAM芯片的最劣偏置狀態(tài)，依據(jù)GJB-548B方法中的1019.2試驗標準，提出了針對FinFET SRAM芯片總劑量效應試驗方案，給出了實驗流程，探討了當前可采用的實驗裝

3、置開發(fā)策略。
　　論文獲得的主要研究成果有：
　　1.FinFET器件的抗總劑量水平優(yōu)于MOS器件，其抗總劑量水平可以達到480Krad(SiO2)；
　　2.在FinFET SRAM總劑量試驗中，需要重點關注總劑量輻射下存儲陣列和靈敏放大器的電學參數(shù)和功能參數(shù)變化情況；
　　3.創(chuàng)新性提出了FinFET SRAM總劑量效應試驗方案，并針對該方案給出了FinFET SRAM總劑量試驗流程，初步探討了總劑量試驗的試