基于界面修飾的有機(jī)-無機(jī)界面能級(jí)排列研究.pdf

1、隨著三星將有源驅(qū)動(dòng)的有機(jī)發(fā)光二極管(AMOLED)平板顯示技術(shù)應(yīng)用于智能手機(jī)屏幕、電視屏幕，其具有的高色彩還原度、制造工藝簡(jiǎn)單、柔性、可大面積生產(chǎn)等特點(diǎn)促使世界各大顯示廠商（LG、奇晶、TMD、友達(dá)）紛紛涌入有機(jī)發(fā)光顯示領(lǐng)域。如何在此領(lǐng)域奪得一席之地，關(guān)鍵在于擁有生產(chǎn)高效穩(wěn)定的OrganicLighting Emitting Diode(OLED)發(fā)光器件的技術(shù)。OLED器件結(jié)構(gòu)一般包括透明導(dǎo)電陽極、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和金屬

2、陰極。其中發(fā)光層一般為摻雜的有機(jī)材料，而為了提高器件效率和穩(wěn)定性，空穴和電子傳輸層多采用無機(jī)金屬氧化物。因而，有機(jī)-無機(jī)界面處的電子結(jié)構(gòu)以及電荷傳輸性能的研究就顯得尤為重要。
　　有機(jī)-無機(jī)界面電子結(jié)構(gòu)和能級(jí)排列不僅取決于材料自身的電子結(jié)構(gòu)，界面處的分子取向、基底功函數(shù)、無序性誘導(dǎo)的缺陷態(tài)等效應(yīng)也對(duì)其影響深遠(yuǎn)。本文主要從基底功函數(shù)的角度出發(fā)，研究了有機(jī)-無機(jī)界面能級(jí)排列方式，以及其對(duì)電荷傳輸性能的影響。
　　首先，研究了不同

3、退火溫度、氧氣氛圍等條件對(duì)合成無機(jī)過渡金屬氧化物NiOx作為空穴傳輸層材料的影響。結(jié)合光電子能譜技術(shù)(XPS和UPS)、X射線衍射儀(XRD)以及原子力顯微鏡(AFM)，系統(tǒng)而精煉地給出了不同條件處理下NiOx薄膜的電子結(jié)構(gòu)和形貌結(jié)構(gòu)。
　　隨后，通過引入修飾層的方法對(duì)NiOx薄膜進(jìn)行修飾，得到了很寬范圍功函數(shù)(2.5 eV-6.7 eV)的襯底。并且闡述了修飾層與NiOx基底之間的相互作用，以及修飾后基底電子結(jié)構(gòu)的變化規(guī)律。

4、r>　　接著，在通過在不同修飾后的襯底上沉積有機(jī)主體材料，我們利用光電子能譜儀等分析手段研究了該有機(jī)-無機(jī)界面的能級(jí)排列方式，并且分析了電荷在該界面的傳輸機(jī)制以及界面勢(shì)壘變化規(guī)律。
　　最后將該界面引入電荷傳輸器件和OLED器件中。通過器件的J-V曲線，我們可以看到，經(jīng)過界面修飾的NiOx基底大大減小了器件中的驅(qū)動(dòng)電壓，提高了器件的效率。
　　此外，我們繼續(xù)研究了有機(jī)-無機(jī)界面處的分子取向?qū)ζ浣缑婺芗?jí)結(jié)構(gòu)以及排列方式的影響。