磷化銦微納光學陣列元件的約束刻蝕加工研究.pdf

1、微機電系統(tǒng)（MEMS）自上個世紀80年代誕生以來，就不斷的推動著制造技術(shù)向微型化發(fā)展。其中利用電化學方法進行微納米尺度的加工方法，引起了人們的廣泛關注。相對于傳統(tǒng)的微加工技術(shù)，如IC工藝、電子束與離子束加工等，電化學加工方法具有其獨特的優(yōu)勢：加工分辨率高、工藝簡單、成本低廉、加工表面無殘余應力等，使得越來越多的研究者將目光聚集到這一研究領域。磷化銦作為第二代半導體材料，是一種非常重要的光電材料，對其進行微結(jié)構(gòu)加工具有重要意義。本論文圍繞

2、約束刻蝕劑層技術(shù)在半導體材料磷化銦表面上進行復雜三維微納結(jié)構(gòu)的復制加工進行研究，并且成功地加工出了具有高分辨率的陣列微光學結(jié)構(gòu)。論文主要工作與結(jié)論如下：
　　1、通過元素化學和同類化合物半導體材料之間化學性質(zhì)的比較探討，結(jié)合電化學測試與腐蝕失重測量，選擇了HNO3/HCl及Br2/HCl作為對磷化銦的刻蝕體系。通過循環(huán)伏安特性曲線測量與分析對所選體系進行了考察與驗證，確定了對應的捕捉劑NaOH與L-胱氨酸。
　　2、利用標準

3、鉑圓柱電極對于兩種所選體系進行了微孔刻蝕加工研究，通過對刻蝕結(jié)果的分析，最終選擇Br2/HCl/L-胱氨酸作為磷化銦加工的刻蝕體系；通過系統(tǒng)的刻蝕加工實驗表明：當L-胱氨酸與所加入的NaBr的比值為3:1時，能取得比較好的加工精度，初步確定了在具體加工條件下Br2/HCl/L-胱氨酸體系的刻蝕加工分辨率。
　　3、利用CELT技術(shù)在磷化銦表面進行微光學陣列元件的加工，成功地在n-InP表面加工出了大面積微光學凹透鏡陣列結(jié)構(gòu)。對直徑