等離子體CVD法制備氮化碳涂層的理論與實(shí)驗(yàn)研究.pdf_第1頁(yè)
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1、晶體氮化碳材料是一種在自然界未被發(fā)現(xiàn)的新型超硬材料,α、β、立方和準(zhǔn)立方相氮化碳的體彈性模量都能夠媲美甚至超過(guò)金剛石。另外,優(yōu)異的化學(xué)惰性和耐磨性也使得晶體氮化碳有望在刀具涂層方面有突出的表現(xiàn)。
  本文開(kāi)展了等離子體CVD法制備氮化碳材料的理論與實(shí)驗(yàn)研究,主要內(nèi)容包括計(jì)算仿真、機(jī)理分析和實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證三個(gè)部分。本文主要研究及結(jié)論如下:
  (1)利用Material Studio軟件進(jìn)行了第一性原理化學(xué)吸附仿真研究。研究表明:N

2、2分子在金剛石過(guò)渡層和硬質(zhì)合金表面不產(chǎn)生化學(xué)吸附,N原子在其表面上產(chǎn)生化學(xué)吸附;N原子在硬質(zhì)合金表面吸附能比在金剛石過(guò)渡層上有更大的值;N原子在硬質(zhì)合金表面比在金剛石過(guò)渡層上更易于與基底成鍵,氮化碳更易于在其上直接形核和生長(zhǎng);若采用直流電弧等離子體噴射法制備晶體氮化碳膜,可以通過(guò)增大反應(yīng)氣體配比中N2分子量和提高電弧功率密度,產(chǎn)生更多活性N原子,以便提高氮化碳膜形核和生長(zhǎng)效率。
  (2)對(duì)等離子體CVD法制備晶體氮化碳涂層的機(jī)理

3、進(jìn)行了研究。有別于王季陶提出的CVD法制備金剛石膜的“化學(xué)泵”理論,提出了應(yīng)用于氮化碳涂層制備過(guò)程的新型“化學(xué)泵”模型;在金剛石過(guò)渡層上沉積氮化碳涂層時(shí),基底溫度對(duì)金剛石相和氮化碳相的刻蝕與沉積產(chǎn)生顯著影響,并提出了在適當(dāng)溫度下金剛石相刻蝕和氮化碳相沉積同時(shí)進(jìn)行的假設(shè)模型;當(dāng)?shù)?碳源配比在100:1~10:1時(shí),氮化碳膜才易于成核和生長(zhǎng),并且碳源濃度增長(zhǎng)對(duì)氮化碳的晶形和晶粒大小影響很大;沉積氣壓與碳源濃度有交互作用,共同對(duì)氮化碳材料的

4、形貌有顯著影響。
  (3)采用直流電弧等離子體噴射法分別在金剛石過(guò)渡層和硬質(zhì)合金上開(kāi)展制備氮化碳實(shí)驗(yàn),并對(duì)實(shí)驗(yàn)結(jié)果與仿真結(jié)論和理論分析進(jìn)行對(duì)比研究。對(duì)在不同基底溫度下金剛石過(guò)渡層沉積的氮化碳涂層進(jìn)行SEM,XRD等測(cè)試,研究表明基底溫度對(duì)金剛石過(guò)渡層上制備的氮化碳涂層的晶形和晶粒大小產(chǎn)生顯著影響;首次在硬質(zhì)合金基底上直接制備出了晶形較為完好的氮化碳晶體涂層,并對(duì)在不同碳源濃度條件下于硬質(zhì)合金上沉積氮化碳涂層進(jìn)行SEM,XRD等測(cè)

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