二維電子氣深度對一維電子通道中聲電電流的影響.pdf

1、高頻表面聲波(SAW)驅動下的單電子輸運問題的研究對物理學的基礎理論、半導體器件的進一步發(fā)展和計量學的研究具有重要意義.該文在已有理論模型的基礎上,著重研究了二維電子氣(2DEG)深度對聲電電流量子化特性的影響,得到了若干創(chuàng)新性的結果:推廣了在不考慮2DEG深度情況下參數(shù)β的定義,提出了一個函數(shù)關系作為聲電電流量子化特性的分析公式,得到了求解一維薛定諤方程的數(shù)值解的程序和對量子化聲電電流有益的二維電子氣的最佳深度區(qū)間,計算結果與實驗結果

2、一致.這些結果對研制表面聲波驅動單電子輸運器件,特別是器件所需的GaAs/Al<,x>Ga<,1-x>As壓電異質結中二維電子氣的深度提供了有益的參考和指導.在前三章中,首先介紹了半導體、異質結、二維電子氣、表面聲波、叉指換能器和壓電效應等在該研究領域中的基本概念.接著,闡述了GaAs/Al<,x>Ga<,1-x>As異質結中2DEG的產生機理和準一維電子通道的形成機理.最后,綜述了這一研究領域的最新進展及所采用的方法原理.在第四章中,