分子印跡陣列傳感器的構(gòu)建及應(yīng)用.pdf

1、材料學(xué)、生物化學(xué)、高分子化學(xué)等學(xué)科的融合發(fā)展催生了一種新的技術(shù)-分子印跡技術(shù)。分子印跡聚合物是利用分子印跡技術(shù)制備的對特定目標(biāo)化合物具有特異性識別能力的聚合物材料。由于分子印跡聚合物具有特異性識別能力、高穩(wěn)定性、易于制備、成本低廉等優(yōu)點，使得其特別適用于傳感器的識別單元構(gòu)建仿生傳感器。雖然原位電聚合已經(jīng)非常方便地實現(xiàn)了平面分子印跡膜的制備，但是由于印跡位點一般深度包埋于分子印跡膜內(nèi)部，導(dǎo)致目標(biāo)分子化合物傳質(zhì)受阻，影響分子印跡傳感器的實際

2、性能。基于此，本文嘗試制備三維納米結(jié)構(gòu)的分子印跡陣列并構(gòu)建響應(yīng)的電化學(xué)傳感器。全文分為以下幾個部分。
　　第一章，簡單介紹了分子印跡技術(shù)，包括分子印跡技術(shù)及分子印跡聚合物的發(fā)展歷史、基本原理、制備方法及其應(yīng)用，在此基礎(chǔ)上確定了本文的主要研究內(nèi)容。
　　第二章，采用無種子電沉積法在 ITO/PET導(dǎo)電膜上制備了直立的氧化鋅納米棒陣列，并將其作為三維支架用于原位電聚合制備三維聚吡咯陣列。該聚吡咯陣列生長于氧化鋅納米棒陣列的表面，

3、各個聚吡咯陣列之間相互獨立，同時聚吡咯納米棒陣列的表面有更多更微小的納米顆粒組成。
　　第三章，在第二章的基礎(chǔ)上，以腎上腺素為模板分子制備了對腎上腺素具有特異性識別能力的三維分子印跡聚吡咯納米棒陣列。由于印跡位點處于納米棒陣列的表面，加之納米棒陣列所具有的高比表面積的特點，該分子印跡聚吡咯納米棒陣列對模板分子腎上腺素具有較好的可接近性以及識別能力。最終以該分子印跡聚合物陣列為識別材料，結(jié)合電化學(xué)工作站成功構(gòu)建了基于分子印跡聚合物陣