一種過壓保護器的關(guān)鍵性能研究與改進.pdf

1、半導體過壓保護器件是一種新型的電壓抑制器，由于其響應(yīng)速度快、體積小、性能穩(wěn)定、短路保護及單位面積吸收浪涌能力強而廣泛地應(yīng)用于通信設(shè)備的抗浪涌保護電路中。本課題主要是針對機理復雜、目前應(yīng)用廣泛的開關(guān)型半導體保護器件的機理進行研究，分析各參數(shù)的意義以及與制造過程中各工藝的關(guān)系，研究關(guān)鍵工藝控制點和控制的方法，進而提高現(xiàn)有半導體保護器件的性能，使之能夠替代進口產(chǎn)品，提高我國在該領(lǐng)域的生產(chǎn)設(shè)計水平，使之達到國際同類產(chǎn)品水平。
　　本文首先

2、分析了半導體保護器件的基本結(jié)構(gòu)，建立了器件模型，深入研究了各工作狀態(tài)下的工作機理和器件的觸發(fā)機制，重點對器件的正向?qū)?、正向阻斷和門極觸發(fā)等最重要的工作狀態(tài)的機理進行了探究，為進行后續(xù)性能改進提供理論基礎(chǔ)。其次，分析了器件的基本特性參數(shù)和各種應(yīng)用方法，重點對電壓保護應(yīng)用進行了分析，提出了需要改進的性能參數(shù)。再次，針對需要改進的性能參數(shù)，結(jié)合器件的物理結(jié)構(gòu)和工藝特點，分析了影響器件關(guān)鍵性能參數(shù)的工藝因素，提出了改進的方法，進行了相關(guān)工藝實