TiO2光陽(yáng)極和AC-PTFE陰極光電催化技術(shù)降解羅丹明B的研究.pdf

1、半導(dǎo)體TiO2光催化技術(shù)是一種高效的污染控制技術(shù)，在解決環(huán)境污染方面具有廣泛的應(yīng)用前景。利用窄帶隙半導(dǎo)體修飾有序TiO2納米管陣列，可以提高光生電子與空穴的分離效率。本論文制備了TiO2納米管陣列電極和CdS/TiO2納米管陣列電極，并利用SEM、XRD、XPS、UV/vis等測(cè)試手段對(duì)其結(jié)構(gòu)及光電性能進(jìn)行表征分析并對(duì)其光催化性能進(jìn)行比較。制備AC/PTFE電極，分別以鉑電極和AC/PTFE電極為陰極建立光電催化體系，考察光電協(xié)同降解污

2、染物的作用機(jī)理。
　　 采用陽(yáng)極氧化法制備TiO2納米管陣列，研究陽(yáng)極氧化電壓、電解液組成、陽(yáng)極氧化時(shí)間等因素對(duì)光催化性能的影響。結(jié)果表明，最佳制備條件為恒壓25V，0.5g NH4F和1.0mol/L Na2SO4的混合溶液，氧化時(shí)間120min,退火溫度450℃，退火時(shí)間120min。光照60min，對(duì)羅丹明B的降解率可達(dá)60.8％。
　　 采用陰極電沉積法制備CdS/TiO2納米管陣列，研究陰極沉積電壓、沉積時(shí)間、

3、電解液組成等因素對(duì)CdS/TiO2納米管陣列光催化性能的影響。結(jié)果表明:最佳制備條件為沉積電壓為0.8V，0.1mol/L氯化鎘與0.06mol/L硫代乙酰胺的混合溶液，沉積時(shí)間30min。光照60min，對(duì)羅丹明B的降解率可達(dá)72.6％。
　　 在外加偏壓為2.0V，電解液初始pH值為7.5，電解質(zhì)Na2SO4濃度為0.1mol/L時(shí)，四種光電催化體系的羥基自由基含量為CdS/TiO2納米管陣列-AC/PTFE＞CdS/TiO