基于鍺懸空微橋結(jié)構(gòu)準(zhǔn)雙異質(zhì)結(jié)發(fā)光性能分析.pdf

1、隨著微電子技術(shù)的飛速發(fā)展，集成電路中的晶體管密度不斷增加。然而，隨著晶體管尺寸的減小，由電互聯(lián)引起的功耗增長(zhǎng)限制了計(jì)算速度進(jìn)一步的增加。為了解決集成電路的性能瓶頸，片上光互連引起了人們的關(guān)注。過(guò)去十年中，片上光互連系統(tǒng)中的很多重要組成部分已經(jīng)被制作出來(lái)，例如高性能的光電探測(cè)器和調(diào)制器。然而，高效的硅基光源仍然是一個(gè)很大的挑戰(zhàn)。由于硅為間接帶隙材料，不適合用于制作光源。而最近的研究表明，通過(guò)引入張應(yīng)變，鍺的發(fā)光性能能夠被改善。
　　

2、本文首先簡(jiǎn)要介紹了能帶計(jì)算的基本理論，包括微擾理論以及kp理論。接著構(gòu)造了應(yīng)變條件下體材料的哈密頓量，并使用8kp方法分別計(jì)算出了雙軸應(yīng)變和單軸應(yīng)變條件下鍺的能帶結(jié)構(gòu)，使用等能面分析了應(yīng)變對(duì)有效質(zhì)量的影響。
　　接下來(lái)分析了懸空微橋結(jié)構(gòu)的應(yīng)變分布。在微橋結(jié)構(gòu)中，應(yīng)變分布不均勻使得其天然構(gòu)成準(zhǔn)雙異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)。利用漂移擴(kuò)散模型模擬仿真了準(zhǔn)雙異質(zhì)結(jié)的傳輸特性，得到了不同摻雜濃度下注入載流子密度與注入電流之間的關(guān)系。
　　最后，介紹了