基于紅外焦平面陣列測(cè)試的超低噪聲直流偏置技術(shù)研究.pdf

1、近年來，隨著紅外焦平面陣列(IRFPA)技術(shù)的發(fā)展，紅外技術(shù)與系統(tǒng)在軍事和日常生產(chǎn)及生活等許多領(lǐng)域用途日益廣泛。在這種環(huán)境背景下，研制紅外焦平面陣列探測(cè)器測(cè)試系統(tǒng)是十分必要的，系統(tǒng)的關(guān)鍵技術(shù)之一就是直流偏置源的實(shí)現(xiàn)，而國內(nèi)外一直未能在此關(guān)鍵技術(shù)上有實(shí)質(zhì)性的突破。本文現(xiàn)圍繞系統(tǒng)中直接供給探測(cè)器偏置電壓的直流偏置源展開研究工作。
　　 本文主要從以下方面開展了研究工作：
　　 1.對(duì)紅外焦平面陣列的概念、原理做了清晰的介紹，

2、并且闡述了紅外焦平面的技術(shù)和發(fā)展現(xiàn)狀，以及國內(nèi)外在紅外焦平面陣列測(cè)試技術(shù)上的研究水平和差距。
　　 2.詳細(xì)介紹了紅外焦平面陣列的主要性能參數(shù)，以及紅外焦平面陣列測(cè)試系統(tǒng)的測(cè)試總體需求及總體結(jié)構(gòu)，提出了直流偏置關(guān)鍵技術(shù)。
　　 3.詳細(xì)分析了直流偏置指標(biāo)對(duì)于紅外焦平面測(cè)試系統(tǒng)影響的理論分析。通過對(duì)一般電子系統(tǒng)中噪聲及焦平面陣列探測(cè)器噪聲的介紹，并結(jié)合實(shí)際工作中的測(cè)試環(huán)境及要求提出了直流偏置源的主要性能指標(biāo)。從整體上對(duì)直流