左手材料影響諧振腔內(nèi)電磁場(chǎng)分布的研究.pdf

1、在用MPCVD裝置沉積金剛石膜的工藝過(guò)程中，由于技術(shù)的限制導(dǎo)致沉積的金剛石膜質(zhì)量較差，而且效率較低，而此問(wèn)題的核心就在于MPCVD裝置中的諧振腔。傳統(tǒng)的方法是通過(guò)調(diào)整諧振腔的尺寸來(lái)改善諧振腔內(nèi)電磁場(chǎng)的分布和提高諧振腔的品質(zhì)參數(shù)（諧振頻率和品質(zhì)因數(shù)），或者通過(guò)引進(jìn)高次模來(lái)提高諧振腔內(nèi)的電磁場(chǎng)強(qiáng)度和品質(zhì)參數(shù)，但是，實(shí)際在諧振腔的設(shè)計(jì)過(guò)程中，諧振腔的尺寸不可能無(wú)限減小，而且由于填充介質(zhì)引起的損耗以及引進(jìn)高次模所帶來(lái)的模式干擾導(dǎo)致諧振腔內(nèi)部電磁

2、場(chǎng)分布的優(yōu)化受到限制，同時(shí)還導(dǎo)致諧振腔品質(zhì)參數(shù)的提高也變得困難。因此，本文以左手材料為核心，根據(jù)“左手材料”的特殊性質(zhì)，運(yùn)用電動(dòng)力學(xué)理論對(duì)諧振腔內(nèi)部電磁場(chǎng)分布進(jìn)行計(jì)算研究，通過(guò)High Frequency Structure Simulator（簡(jiǎn)稱HFSS）仿真軟件對(duì)諧振腔內(nèi)的場(chǎng)分布進(jìn)行模擬。另外，還研究了填充不同屬性的左手材料對(duì)諧振腔的諧振頻率和品質(zhì)因數(shù)的影響規(guī)律。計(jì)算研究結(jié)果顯示:左手材料的填充可以改善諧振腔內(nèi)部電磁場(chǎng)的分布。相對(duì)