新興二維納米電子器件的第一性原理設計.pdf

1、隨著科學技術(shù)水平的日新月異，納米尺度的新興材料不斷涌現(xiàn)，各種量子效應成為影響材料和器件性能的重要因素。在這種情況下，基于第一性原理的材料設計方法，特別是基于密度泛函理論(DFT)的從頭算方法，已開始在新興材料設計中扮演越來越重要的角色。本文通過密度泛函理論結(jié)合非平衡格林函數(shù)的方法分別研究二硫化鉬(MoS2)無結(jié)晶體管的量子輸運性質(zhì)和彎曲應力對柔性全黑磷(BP)電子器件的輸運性質(zhì)的影響。
　　本文首先利用密度泛函理論結(jié)合非平衡格林函

2、數(shù)的理論方法，研究表面鈍化及VCA摻雜對MoS2電子結(jié)構(gòu)的影響，結(jié)果表明加H鈍化后的能帶出現(xiàn)了一個較大的次能隙;并且VCA摻雜濃度為1.81×1013/cm2，使MoS2NR呈現(xiàn)金屬性。并利用密度泛函理論結(jié)合非平衡格林函數(shù)的理論方法，首次基于四探針模型計算了二硫化鉬無結(jié)晶體管的量子輸運性質(zhì)，考慮了柵極材料的原子結(jié)構(gòu)以及柵極對晶體管的影響;研究結(jié)果表明，比起P型MoS2無結(jié)晶體管，聚硅烷分子門可以更好地關(guān)閉N型MoS2無結(jié)晶體管。