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文檔簡(jiǎn)介
1、隨著射頻識(shí)別(Radio Frequency Identification,RFID)技術(shù)的日臻成熟,并與傳感器技術(shù)結(jié)合的設(shè)計(jì)不斷發(fā)展,使得RFID在生物醫(yī)療、物聯(lián)網(wǎng)、高端制造、實(shí)時(shí)物流鏈管理等領(lǐng)域有著更加廣泛的應(yīng)用前景。設(shè)計(jì)一個(gè)具有低功耗、小面積和高精度特性的SAR ADC是構(gòu)建具有感知對(duì)象的環(huán)境信息的RFID系統(tǒng)的關(guān)鍵。
本文通過(guò)對(duì)SAR ADC系統(tǒng)的研究與分析,基于SMIC0.18μm CMOS工藝,設(shè)計(jì)了一種應(yīng)用于RF
2、ID的9位40KS/s的電荷再分配逐次逼近模數(shù)轉(zhuǎn)換器(charge redistribution successive approximation analog-to-digital Converter,CR-SAR ADC)。根據(jù)共模電壓切換策略以及電壓平移技術(shù),提出了一種新型DAC開關(guān)切換方案。在最高位及次高位的判斷中均不需要切換電容陣列中的開關(guān),相比于傳統(tǒng)型,在電容陣列的動(dòng)態(tài)功耗消耗上降低了98.4%,在單位電容數(shù)量上減少了75%
3、。使用Matlab分別對(duì)理想的和電容失配的系統(tǒng)建模,驗(yàn)證了該方案的可行性。運(yùn)用了CMOS互補(bǔ)開關(guān)作為采樣電路從而有效提高了精度。設(shè)計(jì)了對(duì)主電容陣列中最高位電容校準(zhǔn)的方案。實(shí)現(xiàn)了調(diào)節(jié)輸出負(fù)載電容對(duì)動(dòng)態(tài)比較器的輸入失調(diào)電壓進(jìn)行校正的方法。采用了Verilog同步時(shí)序邏輯,完成了SAR數(shù)字邏輯控制電路的構(gòu)建。
利用Cadence對(duì)SAR ADC系統(tǒng)電路進(jìn)行仿真,結(jié)果表明無(wú)雜散動(dòng)態(tài)范圍SFDR為69.06dB,信噪失真比SNDR為54
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