擴(kuò)展電阻的測(cè)量方法和外延工藝優(yōu)化.pdf

1、半導(dǎo)體產(chǎn)品直徑的不斷變大，一方面對(duì)外延工藝的均勻性很高，而且對(duì)于過(guò)渡區(qū)的要求也越來(lái)越高，通過(guò)改進(jìn)現(xiàn)有的擴(kuò)展電阻儀器的測(cè)量方法，可以提高測(cè)試儀器的準(zhǔn)確度和穩(wěn)定度，從而可以得到比較真實(shí)的，可靠的數(shù)據(jù)。
　　本文主要論述了擴(kuò)展電阻技術(shù)的測(cè)量方法以及外延工藝的優(yōu)化，借此提高產(chǎn)品的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。本文詳細(xì)論述了擴(kuò)展電阻技術(shù)的測(cè)量方法，通過(guò)改進(jìn)探針狀態(tài)，增加校驗(yàn)樣片和校驗(yàn)片的頻次以及校驗(yàn)片過(guò)渡區(qū)的測(cè)量，得出擴(kuò)展電阻技術(shù)測(cè)試的準(zhǔn)確度可以達(dá)到99％。

2、基于該擴(kuò)展電阻技術(shù)，優(yōu)化了外延工藝，以8寸肖特基產(chǎn)品為例(厚度為10.5um，電阻率為1.64Ωcm，過(guò)渡區(qū)寬度要求為2um)。采用傳統(tǒng)工藝，外延片的中心和邊緣區(qū)域過(guò)渡區(qū)的寬度不滿(mǎn)足2um，采用二步外延法后，即加了0.4um的純度之后，中心和邊緣區(qū)域過(guò)渡區(qū)的寬度仍然不滿(mǎn)足2um。通過(guò)優(yōu)化背封方法以及二步外延方法的工藝，中心和邊緣區(qū)域的過(guò)渡區(qū)滿(mǎn)足了2um的要求，但是邊緣區(qū)域因?yàn)樽該诫s嚴(yán)重不能滿(mǎn)足要求。邊緣區(qū)域的過(guò)渡區(qū)比中心區(qū)域的過(guò)渡區(qū)更緩