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1、復(fù)旦大學(xué)碩士學(xué)位論文SiO2Si（001）表在Er相關(guān)納米結(jié)構(gòu)及其光致發(fā)光性質(zhì)研究姓名：李娟申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別：碩士專業(yè)：凝聚態(tài)物理指導(dǎo)教師：蔡群20080601AbstractConsiderablemethodshavebeenusedtodevelopanefficientSibaSedlight。emittingmaterial，withawavelength—15心m，duetothepotentialapplicationinop
2、toelectronicHowevertheeverincreasingopticalinformationtrafficisdemandingbroadbandSibasedlightemittingdiodesbeyondtheconventional15Ⅲnwindo、Ⅳ，forintegrationwiththeallwavefibercommunicationsystemsandtofullyutilizethe1280pmt
3、o1625lamlowlossbandsInordertealizethetunable0rcontinuouSbroadbandluminescence，weattempttoputtheefficientopticallyactiveEr3ioIlS鋤dthedefectrelatedluminescence(DRL)centersintoSibyintroducingmanvdislocationsinthegrowthproce
4、ssofErrelatednanostructuresonSi(001)Toinlproveluminescentefficiencyof釅ions，allultrathinSi02filmisgrownontheSi(OO11surfacetoachievetheevendistributionofEratomsandthefIonnalionofoptically—activeErOcomplexErrelatednanostruc
5、turcsselfassembledontheSi(OO1)coveredwithanultrathinsi02layerhavebeenstudiedbyscanningtunnelingmicroscopyandphotoluminescence(PL)，comparedwithErrelatednanostructuresforlnedoncleanSi(001)Thepost—annealingtemperatureof560o
6、C一660oCcanleadt0thefo加ationofErsilicatenanobunches，withallultrahighdensityof1x10121x1013cm2TheErsilicidenanowJresareobtainedatthepost—annealingtemperatureabove700oCErrelatednanostructureswillchangefromtheamorphousnanobun
7、chcstothecrystallinenanowireswiththeincreaseofpost—annealingtemperatureduetotheSiOdesorptionThePLbandshapeandintensitydependstronglyuponthepreparationconditionsandawidebandisexhibitedfrom13pmto16pmduetoDRLandEl，ionAdomin
8、antpeakat080eVisobservedforthenanobunchesWehavedistinguishedtheE，linefromtheDIline，whichhavethesameenergyregionaround080eVanditisshownthatoursampleshaveeffectiveoptically—activeE，ionsKeywords：rareearthmetal，nanostructure
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