2023年全國(guó)碩士研究生考試考研英語一試題真題（含答案詳解+作文范文）_第1頁(yè)
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文檔簡(jiǎn)介

1、目的：
　　通過比較單通道微電極記錄和多通道微電極記錄技術(shù)，討論的多通道微電極記錄技術(shù)在腦深部電刺激(DBS)定位丘腦底核(STN)感覺運(yùn)動(dòng)區(qū)域的意義。
　　方法：
　　多通道微電極記錄22 DBS術(shù)中電生理學(xué)的STN的結(jié)果進(jìn)行了分析，并與單通道20側(cè)微電極記錄STN電生理結(jié)果進(jìn)行比較。
　　結(jié)果：
　　DBS多通道微電極記錄22側(cè)的64根微電極記錄，結(jié)果21側(cè)(95.5％)可以準(zhǔn)確記錄感覺運(yùn)動(dòng)誘發(fā)電位的底

2、丘腦核，1側(cè)丘腦底核傳統(tǒng)放電可以準(zhǔn)確記錄，21側(cè)的最佳電生理記錄針記錄的STN放電長(zhǎng)度是5.58+/-0.53毫米，STN感覺運(yùn)動(dòng)區(qū)誘發(fā)電位的平均長(zhǎng)度是3.27+/-1.54毫米;而單通道20側(cè)微電極記錄STN放電平均長(zhǎng)度是5.02+/-1.01毫米，13側(cè)(65％)可以記錄感覺運(yùn)動(dòng)區(qū)域的STN誘發(fā)電位，平均長(zhǎng)度為1.36+/-0.98毫米，7側(cè)只能記錄完全STN常規(guī)放電。22側(cè)STN多通道微電極記錄13側(cè)最終選擇目標(biāo)符合術(shù)前的解剖定位

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