聯(lián)合國(guó)大會(huì)裁軍及國(guó)際安全委員會(huì)核安全高級(jí)別會(huì)議聯(lián)合國(guó)大會(huì)裁軍及國(guó)際安全委員會(huì)核安全高級(jí)別會(huì)議UNITEDNATIONSGENERALASSEMBLY1STHIGHLEVELMEETINGOFNUCLEARSAFETY議題全球核安全與核裁軍問(wèn)題背景文件背景文件一、一、委員會(huì)介紹根據(jù)聯(lián)合國(guó)憲章的規(guī)定，大會(huì)有權(quán)討...
下載價(jià)格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 畢業(yè)設(shè)計(jì) / 發(fā)布時(shí)間：2024-03-13 / 4人氣
IN2SE3，GA2SE3以及INGA2SE3屬于ⅢⅥ族化合物，可以表現(xiàn)出多種相變和不同的晶體結(jié)構(gòu)，并且由于其具有獨(dú)特的光電性能，所以在電子、光電設(shè)備上得到廣泛應(yīng)用，如記憶儲(chǔ)存器，可見(jiàn)光傳感器。不僅如此，它們還可以應(yīng)用于太陽(yáng)能光吸收層薄膜CUINSE2，CUGASE2和CUIN1XGAXSE...
下載價(jià)格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 披血男巫 / 發(fā)布時(shí)間：2024-03-09 / 2人氣
延陵精密電子延陵精密電子昆山昆山有限公司有限公司緊急應(yīng)變管理辦法緊急應(yīng)變管理辦法文件編號(hào)GA2006版本第1版頁(yè)數(shù)共3頁(yè)制訂日期2005年07月19日修訂日期年月日延陵精密電子（昆山）有限公司文件編號(hào)制訂部門管理部GA2006緊急應(yīng)變管理辦法頁(yè)次234培養(yǎng)多面手。1非計(jì)劃...
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Β型氧化鎵是直接寬禁帶透明氧化物材料，在可見(jiàn)光區(qū)到紫外光區(qū)有很高的透光率，其禁帶寬度在49EV左右，具有良好的物理化學(xué)穩(wěn)定性。氧化鎵已經(jīng)在氣敏探測(cè)器、紫外光探測(cè)器、電致發(fā)光等器件上得到了應(yīng)用。由于氧化鎵在禁帶寬度上的優(yōu)勢(shì)，它在功率器件方面也有很大的發(fā)...
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延陵精密電子延陵精密電子昆山昆山有限公司有限公司司機(jī)與車輛管理辦法司機(jī)與車輛管理辦法文件編號(hào)GA2003版本第1版頁(yè)數(shù)共4頁(yè)制訂日期2005年07月07日修訂日期年月日延陵精密電子昆山有限公司文件編號(hào)制訂部門管理單位GA2003司機(jī)與車輛管理辦法頁(yè)次24523車輛使用人應(yīng)按...
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GA2O3是一種寬禁帶化合物半導(dǎo)體材料。除了優(yōu)異光電特性外，GA2O3材料還具有良好的熱穩(wěn)定性和化學(xué)穩(wěn)定性。其中，單斜晶系的GA2O3薄膜在深紫外區(qū)域高度透明，其透過(guò)率能達(dá)到80％以上，具有制備深紫外透明導(dǎo)電薄膜的天然優(yōu)勢(shì)。同時(shí)，GA2O3材料還表現(xiàn)出良好的氣敏特性，...
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關(guān)于學(xué)位論文原創(chuàng)性和使用授權(quán)的聲明本人所呈交的學(xué)位論文，是在導(dǎo)師指導(dǎo)下，獨(dú)立進(jìn)行科學(xué)研究所取得的成果。對(duì)在論文研究期間給予指導(dǎo)、幫助和做出重要貢獻(xiàn)的個(gè)人或集體，均在文中明確說(shuō)明。本聲明的法律責(zé)任由本人承擔(dān)。本人完全了解山東農(nóng)業(yè)大學(xué)有關(guān)保留和使用學(xué)...
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華中農(nóng)業(yè)大學(xué)博士學(xué)位論文番茄GA20氧化酶和GA2氧化酶基因的克隆與功能分析姓名肖景華申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別博士專業(yè)蔬菜學(xué)指導(dǎo)教師葉志彪20061101華中農(nóng)業(yè)人學(xué)2006屆博T學(xué)位論文各種組織器官中呈組成型表達(dá)，但不同組織的表達(dá)水平有差異。3．構(gòu)建了GA20．OXIDASC和GA2OXIDASE2...
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ICS7110030A31GA中華人民共和國(guó)公共安全行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)GA532015代替GA531993爆破作業(yè)人員資格條件和管理要求QUALIFICATIONSMANAGEMENTREQUIREMENTSFBLASTINGPERSONNEL20151113發(fā)布20160101實(shí)施中華人民共和國(guó)公安部發(fā)布GA5320151爆破作業(yè)人員資格條件和管理要求1范圍本標(biāo)準(zhǔn)...
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ICS3524099R85日11中華人民共和國(guó)公共安全行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)GA581158192005機(jī)動(dòng)車駕駛證管理信息代碼CODEOFDRIVINGLICENSEMANAGEMENTINFORMATION20051213發(fā)布20060301實(shí)施中華人民共和國(guó)公安部發(fā)布WGA58182005前言本部分的全部技術(shù)內(nèi)容為強(qiáng)制性GA581機(jī)動(dòng)車駕駛證管理信息代碼...
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本文采用氨化磁控濺射不同中間層厚度的GA2O3MO薄膜的方法在硅襯底上合成了GAN和GA2O3納米結(jié)構(gòu)。對(duì)其結(jié)構(gòu)、形貌、組分和發(fā)光特性進(jìn)行了深入的分析和研究，并對(duì)其發(fā)光機(jī)制和生長(zhǎng)機(jī)制進(jìn)行了初步探索，研究了不同生長(zhǎng)條件對(duì)制備GAN和GA2O3納米結(jié)構(gòu)的影響。所取得的主要研...
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GA4662004月U青本標(biāo)準(zhǔn)的全部技術(shù)內(nèi)容為強(qiáng)制性。本標(biāo)準(zhǔn)由中華人民共和國(guó)公安部裝備財(cái)務(wù)局提出。本標(biāo)準(zhǔn)由公安部特種警用裝備標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口。本標(biāo)準(zhǔn)起草單位公安部裝備財(cái)務(wù)局被裝處、總后軍需生產(chǎn)技術(shù)研究所、安徽省8503工廠本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人孫長(zhǎng)林、于開(kāi)林、張...
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非線性光學(xué)材料在光通訊、光調(diào)制、光存儲(chǔ)等方面有著非常廣闊的應(yīng)用。硫系微晶玻璃因低的聲子能、很寬的紅外透過(guò)波段、易制備和加工、較大的二階非線性光學(xué)系數(shù)等優(yōu)點(diǎn)，使之成為一種頗具應(yīng)用潛力的二階非線性光學(xué)材料。本文采用傳統(tǒng)的融熔淬冷法制備了GES2GA2S3LI2S體...
下載價(jià)格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 燈影 / 發(fā)布時(shí)間：2024-03-10 / 10人氣
作為新型的半導(dǎo)體材料，ΒGA2O3研究仍處于初期階段，晶體質(zhì)量、基本物理性能、半導(dǎo)體性能優(yōu)化、器件及應(yīng)用方面仍有待系統(tǒng)研究。高質(zhì)量單晶材料的研制是ΒGA2O3后期應(yīng)用的前提，本論文以高質(zhì)量ΒGA2O3單晶的生長(zhǎng)為核心，以滿足器件要求為目標(biāo)。對(duì)晶體生長(zhǎng)方法選取及設(shè)...
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目前，綠色節(jié)能已經(jīng)成為了越來(lái)越熱門的研究方向。在計(jì)算機(jī)領(lǐng)域，已經(jīng)有很多針對(duì)CPU等部件節(jié)約能耗的研究。存儲(chǔ)器作為計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的主要部件之一，其能耗占據(jù)了整個(gè)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)能耗的三分之一以上，而且隨著其他部件節(jié)能研究的逐步發(fā)展，該占比還在逐步提升，因此，研究...
下載價(jià)格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 眺望遠(yuǎn)方 / 發(fā)布時(shí)間：2024-03-10 / 4人氣
采用直流磁控濺射法制備CUGA合金預(yù)制層，然后在固態(tài)硫的氣氛中退火，成功的制備出了CUGAS2薄膜。濺射功率分別為15、30、45、60、80和100W的條件進(jìn)行實(shí)驗(yàn)，最終在30W下制備的CUGA合金薄膜原子比符合化學(xué)計(jì)量比。CUGA合金薄膜在450、500、550和600℃的條件下分別進(jìn)行硫...
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太陽(yáng)能是一種清潔、環(huán)保的可再生能源，把太陽(yáng)能轉(zhuǎn)化為電能將使人類徹底解決能源問(wèn)題。CIS系太陽(yáng)能電池具有光電轉(zhuǎn)換效率高，性能穩(wěn)定等諸多優(yōu)點(diǎn)，因此CIS系薄膜太陽(yáng)能電池是最具大規(guī)模應(yīng)用前景的太陽(yáng)能電池之一。但三十多年來(lái)的研究并沒(méi)有帶來(lái)CIS系太陽(yáng)能電池的大規(guī)模...
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（申請(qǐng)工學(xué)碩士學(xué)位論文）DY3摻GES2GA2S3CDI2玻璃光纖玻璃光纖的制備及的制備及性能研究性能研究培養(yǎng)單位材料科學(xué)與工程學(xué)院位材料科學(xué)與工程學(xué)院學(xué)科專業(yè)材料學(xué)業(yè)材料學(xué)研究生生王子軒王子軒指導(dǎo)教師師顧少軒顧少軒教授教授副指導(dǎo)教副指導(dǎo)教師郭海濤師郭海濤副研究...
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本文采用氨化磁控濺射GAOTI和GAOTIO薄膜的方法在硅襯底上合成了GAN納米結(jié)構(gòu)通過(guò)研究不同生長(zhǎng)條件對(duì)制備GAN納米結(jié)構(gòu)的影響初步提出并探討了此方法合成GAN納米結(jié)構(gòu)的生長(zhǎng)機(jī)制我們首先利用磁控濺射系統(tǒng)在SI襯底上制備TI薄膜然后將樣品在氨氣氣氛中退火用X射線衍射XRD和...
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