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  • 黃<em>晶</em>果(黃金果)的栽培與<em>管</em>6

    黃<em>晶</em>果(黃金果)的栽培與<em>管</em>果(黃金果)的栽培與(6頁)

    黃晶果的栽培與管黃晶果的栽培與管理羅浮山果木世界曾云鋒一、前言一、前言黃晶果POUTERIACAIMITORADLK又稱加蜜蛋黃果、黃金果、黃星蘋果,中國及新加坡名為黃晶果,英名ABIU或CAIMITO,屬山欖科SAPOTACEAE膠木屬POUTERIA,為原產(chǎn)亞馬遜河上游的熱帶果樹,主要分布于...

    下載價格:6 賞幣 / 發(fā)布人: 畢業(yè)設(shè)計 / 發(fā)布時間:2024-03-13 / 13人氣

  • 勻<em>晶</em>共<em>晶</em>包<em>晶</em>34

    勻<em>晶</em>共<em>晶</em>包<em>晶</em>(34頁)

    任務(wù)一金屬的晶體結(jié)構(gòu)1金屬的晶體結(jié)構(gòu)2金屬的實際晶體結(jié)構(gòu)3純金屬的結(jié)晶4金屬的同素異構(gòu)轉(zhuǎn)變?nèi)蝿?wù)二鐵碳合金狀態(tài)圖1二元合金相圖2、鐵碳相圖任務(wù)三金屬的塑性變形與再結(jié)晶,學(xué)習(xí)情境二單元二金屬的晶體結(jié)構(gòu)與結(jié)晶,二元合金相圖,相圖指表達處于復(fù)相平衡狀態(tài)下的物系中,...

    下載價格:4 賞幣 / 發(fā)布人: 畢業(yè)設(shè)計 / 發(fā)布時間:2024-01-06 / 77人氣

  • 非<em>晶</em>硅薄膜晶體<em>管</em>的模型研究.pdf61

    非<em>晶</em>硅薄膜晶體<em>管</em>的模型研究.pdf硅薄膜晶體的模型研究.pdf(61頁)

    本論文以底柵型非晶硅薄膜晶體管ASITFT器件為基礎(chǔ),對ASITFT模型進行研究。將ASI材料場效應(yīng)遷移率小于1CM2VS作為限制條件,利用MATLAB軟件編程實現(xiàn)模型閾上區(qū)域初始參數(shù)的自動化提取,在此基礎(chǔ)上利用參數(shù)提取軟件進行ASITFT模型參數(shù)的分區(qū)域提取,得到了與實測數(shù)據(jù)吻...

    下載價格:5 賞幣 / 發(fā)布人: 持傘貓 / 發(fā)布時間:2024-03-09 / 2人氣

  • 落<em>管</em>無容器處理條件下快速共<em>晶</em>生長研究.pdf128

    落<em>管</em>無容器處理條件下快速共<em>晶</em>生長研究.pdf無容器處理條件下快速共生長研究.pdf(128頁)

    本文在落管無容器處理條件下,對CUSB、NIMO、COSN和COSI等四種不同類型合金的快速共晶生長進行了系統(tǒng)深入的研究,主要取得以下研究結(jié)果通過研究CUSB合金的快速凝固過程,揭示了兩種特殊二元共晶的快速生長特征及其組織演變規(guī)律。對于CU31%SB共晶合金,體積比為1499...

    下載價格:5 賞幣 / 發(fā)布人: 窺鏡 / 發(fā)布時間:2024-03-09 / 5人氣

  • 高性能微<em>晶</em>薄膜晶體<em>管</em>技術(shù)研究.pdf88

    高性能微<em>晶</em>薄膜晶體<em>管</em>技術(shù)研究.pdf 高性能微薄膜晶體技術(shù)研究.pdf(88頁)

    隸軔大嚶碩士學(xué)位論LLLLLTILLLLLLBLLLTIKLLLQLIIIQLLKLQLLLLLLLQLLLLLLY2272424文高性能微晶薄膜晶體管技術(shù)研究東南大學(xué)學(xué)位論文獨創(chuàng)性聲明本人聲明所呈交的學(xué)位論文是我個人在導(dǎo)師指導(dǎo)_卜進行的研究工作及取得的研究成果。盡我所知,除了文中特別加以標(biāo)注和致謝的地...

    下載價格:5 賞幣 / 發(fā)布人: 尋匿 / 發(fā)布時間:2024-03-09 / 2人氣

  • 用于真空開關(guān)<em>管</em>的微<em>晶</em>玻璃絕緣外殼的研制.pdf58

    用于真空開關(guān)<em>管</em>的微<em>晶</em>玻璃絕緣外殼的研制.pdf 用于真空開關(guān)的微玻璃絕緣外殼的研制.pdf(58頁)

    本課題重點研究了適合制作真空開關(guān)管絕緣外殼的微晶玻璃;微晶玻璃的成型與金屬封接同時完成的工藝;以及封接金屬的處理工藝。本課題研究了能和膨脹系數(shù)為102107℃的鐵鎳合金(485合金)匹配封接的高膨脹LI2OAL2O3SIO2系統(tǒng)微晶玻璃,研究了各組份變化對微晶玻璃性能...

    下載價格:5 賞幣 / 發(fā)布人: 從未共你飲過冰 / 發(fā)布時間:2024-03-09 / 4人氣

  • 非<em>晶</em>合金屏蔽<em>管</em>型發(fā)電機封閉母線磁熱分析.pdf69

    非<em>晶</em>合金屏蔽<em>管</em>型發(fā)電機封閉母線磁熱分析.pdf合金屏蔽型發(fā)電機封閉母線磁熱分析.pdf(69頁)

    由于封閉式母線的自身結(jié)構(gòu)的特點在強大的交變電磁場下感應(yīng)產(chǎn)生大量的功率損耗和發(fā)熱產(chǎn)生的溫升對母線的工作性能以及可靠性都有很大的影響。作為大電流傳輸電設(shè)備發(fā)電機出口母線的磁屏蔽發(fā)熱溫升和散熱問題是考驗?zāi)妇€能否長期穩(wěn)定運行的關(guān)鍵因素。因此對封閉母線的研...

    下載價格:5 賞幣 / 發(fā)布人: 殃及 / 發(fā)布時間:2024-03-09 / 3人氣

  • 非<em>晶</em>ZnTiSnO薄膜的制備及薄膜晶體<em>管</em>性能研究.pdf79

    非<em>晶</em>ZnTiSnO薄膜的制備及薄膜晶體<em>管</em>性能研究.pdfZnTiSnO薄膜的制備及薄膜晶體性能研究.pdf(79頁)

    非晶氧化物半導(dǎo)體AOS材料具有高遷移率、與柔性襯底兼容和可大面積沉積等優(yōu)點,已作為薄膜晶體管TFT的溝道層被應(yīng)用于顯示器領(lǐng)域。與已產(chǎn)業(yè)化的INGAZNO非晶氧化物TFT比較,ZNSNOTFT具有無IN、廉價、無毒等優(yōu)勢。然而ZNSNO中存在較高的缺陷態(tài)濃度導(dǎo)致器件性能差,需要添...

    下載價格:5 賞幣 / 發(fā)布人: 讞辭 / 發(fā)布時間:2024-03-09 / 2人氣

  • 非<em>晶</em>銦鋅氧化物薄膜晶體<em>管</em>的研究.pdf71

    非<em>晶</em>銦鋅氧化物薄膜晶體<em>管</em>的研究.pdf銦鋅氧化物薄膜晶體的研究.pdf(71頁)

    本文重點對以銦鋅氧化物作為溝道層的氧化物薄膜晶體管進行研究,首先進行了溝道層、絕緣層材料的制備和性能分析,然后再結(jié)合掩模制備了薄膜晶體管器件,從溝道層制備條件、器件結(jié)構(gòu)方面對薄膜晶體管性能進行了優(yōu)化。首先,在室溫下于玻璃基板上采用直流反應(yīng)磁控濺射I...

    下載價格:5 賞幣 / 發(fā)布人: 涸淵 / 發(fā)布時間:2024-03-09 / 5人氣

  • 大電流高開關(guān)比非<em>晶</em>硅二極<em>管</em>的研究.pdf41

    大電流高開關(guān)比非<em>晶</em>硅二極<em>管</em>的研究.pdf 大電流高開關(guān)比非硅二極的研究.pdf(41頁)

    該論文主要內(nèi)容分為四章是為了配合美國3DROM公司關(guān)于3DROM的研究與開發(fā)非晶硅二極管是3DROM的重要組成部分它性能的好壞決定了3DROM能否實現(xiàn)EPROM電可擦除只讀存儲器及單位面積存儲容量的大小該文主要內(nèi)容分為四章首先在第一章介紹了非晶硅薄膜二極管的發(fā)展現(xiàn)狀和特點...

    下載價格:5 賞幣 / 發(fā)布人: 記住我 / 發(fā)布時間:2024-03-09 / 11人氣

  • 非<em>晶</em>In-Ga-Zn-O肖特基二極<em>管</em>性能的研究.pdf54

    非<em>晶</em>In-Ga-Zn-O肖特基二極<em>管</em>性能的研究.pdfIn-Ga-Zn-O肖特基二極性能的研究.pdf(54頁)

    相比于PN結(jié)二極管,由多數(shù)載流子導(dǎo)通的肖特基二極管具有響應(yīng)速率快,正向?qū)▔航档偷葍?yōu)點,在直流、微波領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。近年來以非晶INGAZNOAIGZO為代表的非晶氧化物半導(dǎo)體由于其高電子遷移率>10CM2VS、可大面積均勻成膜、制備溫度低、可見光透明、柔性等優(yōu)點引...

    下載價格:5 賞幣 / 發(fā)布人: 殘志 / 發(fā)布時間:2024-03-09 / 2人氣

  • 非<em>晶</em>氧化物薄膜晶體<em>管</em>金屬電極的研究.pdf84

    非<em>晶</em>氧化物薄膜晶體<em>管</em>金屬電極的研究.pdf氧化物薄膜晶體金屬電極的研究.pdf(84頁)

    非晶氧化物薄膜晶體管TFTS,特別是非晶銦鎵鋅氧薄膜晶體管AIGZOTFTS被普遍認為可替代傳統(tǒng)的非晶硅薄膜晶體管ASITFTS而用于下一代包括有源液晶顯示(AMLCD)和有源有機電致發(fā)光顯示AMOLED等在內(nèi)的平板顯示器。為了適應(yīng)即將到來的量產(chǎn)需求,仍有許多與非晶氧化物薄膜晶...

    下載價格:5 賞幣 / 發(fā)布人: 尋匿 / 發(fā)布時間:2024-03-10 / 14人氣

  • 核殼納米<em>晶</em>ZnSe@CdS(e)和碳納米<em>管</em>-ZnSe@CdSe納米<em>晶</em>異質(zhì)結(jié)的制備及其光學(xué)性質(zhì)研究.pdf80

    核殼納米<em>晶</em>ZnSe@CdS(e)和碳納米<em>管</em>-ZnSe@CdSe納米<em>晶</em>異質(zhì)結(jié)的制備及其光學(xué)性質(zhì)研究.pdf 核殼納米ZnSe@CdS(e)和碳納米-ZnSe@CdSe納米異質(zhì)結(jié)的制備及其光學(xué)性質(zhì)研究.pdf(80頁)

    納米材料和納米結(jié)構(gòu)以其特異的物理化學(xué)性質(zhì)引起研究者的廣泛關(guān)注。納米組裝體系的結(jié)構(gòu)與性質(zhì)研究成為現(xiàn)在研究的熱點。由于納米結(jié)構(gòu)材料是獲取并發(fā)展納米器件的基礎(chǔ),低維納米結(jié)構(gòu)材料又具有獨特的物理和化學(xué)性質(zhì),近年來,該方面研究受到了高度的重視,多種一維納米...

    下載價格:5 賞幣 / 發(fā)布人: 染了絕情 / 發(fā)布時間:2024-03-12 / 11人氣

  • 非<em>晶</em>硅薄膜晶體<em>管</em>PECVD成膜工藝的優(yōu)化研究.pdf60

    非<em>晶</em>硅薄膜晶體<em>管</em>PECVD成膜工藝的優(yōu)化研究.pdf硅薄膜晶體PECVD成膜工藝的優(yōu)化研究.pdf(60頁)

    隨著平板顯示技術(shù)的快速發(fā)展,高分辨率和低功耗成為了新的技術(shù)趨勢,這與工藝參數(shù)、面板材料、功耗設(shè)計等有著極大的關(guān)系。非晶硅ASI薄膜作為薄膜晶體管TFT的有源層,其良好的性能對TFT的電學(xué)特性起到了非常重要的作用。高性能的ASITFT是整個有源驅(qū)動液晶顯示器AMLCD...

    下載價格:5 賞幣 / 發(fā)布人: 滿目山河遠 / 發(fā)布時間:2024-03-09 / 10人氣

  • 碳納米<em>管</em>-鎂基非<em>晶</em>復(fù)合材料的制備及性能研究.pdf70

    碳納米<em>管</em>-鎂基非<em>晶</em>復(fù)合材料的制備及性能研究.pdf 碳納米-鎂基非復(fù)合材料的制備及性能研究.pdf(70頁)

    分類號TG1398密級UDC編號12–080503–21M學(xué)位論文碳納米管碳納米管鎂基非晶復(fù)合材料的制備及性能研究鎂基非晶復(fù)合材料的制備及性能研究趙平指導(dǎo)教師姓名指導(dǎo)教師姓名劉金海教授河北工業(yè)大學(xué)申請學(xué)位級別申請學(xué)位級別碩士學(xué)科、專業(yè)名稱學(xué)科、專業(yè)名稱材料加工工程論...

    下載價格:5 賞幣 / 發(fā)布人: 樹葉的顫動 / 發(fā)布時間:2024-03-10 / 3人氣

  • ZnO基薄膜晶體<em>管</em>與非<em>晶</em>透明導(dǎo)電薄膜的研究.pdf91

    ZnO基薄膜晶體<em>管</em>與非<em>晶</em>透明導(dǎo)電薄膜的研究.pdf ZnO基薄膜晶體與非透明導(dǎo)電薄膜的研究.pdf(91頁)

    氧化鋅ZNO由于高遷移率和低溫工藝是一種理想的薄膜晶體管TFTS溝道層材料。同時,ZNO也非常容易摻雜用于透明電極,且將其它氧化物與ZNO化合不僅可以調(diào)節(jié)禁帶寬度和功函數(shù)等參數(shù),還可以得到多成分的非晶透明導(dǎo)電氧化物TCOS。本文主要的研究工作一、制備ZNOTFTS并研究...

    下載價格:5 賞幣 / 發(fā)布人: 懷里溫度太低 / 發(fā)布時間:2024-03-09 / 5人氣

  • 非<em>晶</em>GaN薄膜的制備及性能和碳納米<em>管</em>的LB排布.pdf153

    非<em>晶</em>GaN薄膜的制備及性能和碳納米<em>管</em>的LB排布.pdfGaN薄膜的制備及性能和碳納米的LB排布.pdf(153頁)

    本論文分兩個部分第一部分對非晶氮化鎵AGAN薄膜的制備與光學(xué)性能進行了研究;第二部分探索了采用LANGMUIRBLODGETTLB技術(shù)對單壁碳納米管的排布和機理。近年來,以GAN為代表的第三代半導(dǎo)體材料由于其獨特的物理特性和在光電應(yīng)用領(lǐng)域的潛力成為科學(xué)研究的熱點和前沿。本...

    下載價格:5 賞幣 / 發(fā)布人: 青絲盼 / 發(fā)布時間:2024-03-10 / 8人氣

  • 非<em>晶</em>氧化物薄膜晶體<em>管</em>熱穩(wěn)定性的研究.pdf77

    非<em>晶</em>氧化物薄膜晶體<em>管</em>熱穩(wěn)定性的研究.pdf氧化物薄膜晶體熱穩(wěn)定性的研究.pdf(77頁)

    上海交通大學(xué)碩士學(xué)位論文非晶氧化物薄膜晶體管熱穩(wěn)定性的研究碩士研究生胡哲學(xué)號1120349004導(dǎo)師董承遠申請學(xué)位學(xué)術(shù)碩士學(xué)科電路與系統(tǒng)所在單位電子工程系答辯日期2015年1月16日授予學(xué)位單位上海交通大學(xué)上海交通大學(xué)上海交通大學(xué)學(xué)位論文原創(chuàng)性聲明學(xué)位論文原創(chuàng)性聲...

    下載價格:5 賞幣 / 發(fā)布人: 佳人傾城 / 發(fā)布時間:2024-03-10 / 7人氣

  • 非<em>晶</em>銦鎵鋅氧薄膜晶體<em>管</em>低阻值電極的研究.pdf82

    非<em>晶</em>銦鎵鋅氧薄膜晶體<em>管</em>低阻值電極的研究.pdf銦鎵鋅氧薄膜晶體低阻值電極的研究.pdf(82頁)

    隨著人們對平板顯示(FPD)的尺寸和分辨率的要求越來越高,在更大尺寸和更高分辨率的顯示領(lǐng)域,顯示驅(qū)動用的薄膜晶體管(TFT)的電極線電阻要最大程度的減小。另一方面,非晶銦鎵鋅氧(AIGZO)薄膜晶體管憑借其良好的性能(如較高的場效應(yīng)遷移率、大面積均勻性、可見...

    下載價格:5 賞幣 / 發(fā)布人: 自己拉纖 / 發(fā)布時間:2024-03-05 / 5人氣

  • 非<em>晶</em>氧化銦鎵鋅薄膜晶體<em>管</em>的制備與性能研究.pdf80

    非<em>晶</em>氧化銦鎵鋅薄膜晶體<em>管</em>的制備與性能研究.pdf氧化銦鎵鋅薄膜晶體的制備與性能研究.pdf(80頁)

    當(dāng)前,顯示技術(shù)迅猛發(fā)展,大尺寸、柔性化以及透明化顯示器已成為重要的研究熱點。傳統(tǒng)的非晶硅材料遷移率低、透光性差,無法滿足顯示需求。氧化銦鎵鋅IGZO薄膜由于具備遷移率高、均勻性好、在可見光范圍內(nèi)透光率高等優(yōu)點而受到廣泛的關(guān)注。本論文采用IGZO薄膜作為有...

    下載價格:5 賞幣 / 發(fā)布人: 天使綜合征 / 發(fā)布時間:2024-03-05 / 5人氣

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