ZnO基薄膜晶體管與非晶透明導(dǎo)電薄膜的研究.pdf

1、氧化鋅(ZnO)由于高遷移率和低溫工藝是一種理想的薄膜晶體管(TFTs)溝道層材料。同時，ZnO也非常容易摻雜用于透明電極，且將其它氧化物與ZnO化合不僅可以調(diào)節(jié)禁帶寬度和功函數(shù)等參數(shù)，還可以得到多成分的非晶透明導(dǎo)電氧化物(TCOs)。本文主要的研究工作:一、制備ZnO-TFTs并研究其紫外光響應(yīng)特性;二、如何獲得性能優(yōu)異的ZnO基非晶TCOs。
　　1、采用磁控濺射沉積的ZnO-TFTs具有好的紫外響應(yīng)特性。對于輸出特性曲線，3

2、65 nm和254 nm紫外光照射下飽和電流分別為黑暗條件下飽和電流的3倍和6倍。紫外光照移除后，柵極偏壓的作用使得開態(tài)電流衰減比關(guān)態(tài)電流慢許多。
　　2、采用脈沖激光沉積制備非晶InAlZnO透明導(dǎo)電薄膜，通過優(yōu)化沉積參數(shù)和化學(xué)成分，或引入金屬Cu層來提高InAlZnO薄膜的綜合性能。
　　(1)隨著襯底溫度的升高，薄膜電阻率先急劇下降，到300℃以上時下降速度變緩。隨著氧分壓的增大，薄膜載流子濃度減小，最合適的氧分壓為0

3、.01 Pa。隨沉積時間的增加，薄膜電學(xué)性能變好，但當薄膜太厚時，光學(xué)性能顯著下降。
　　(2)隨著Al含量的增加，薄膜的載流子濃度和遷移率同步下降。當摻雜Al6.4 at.％時，雖然薄膜電學(xué)性能稍微變差，但是能使其結(jié)晶度得到有效降低，薄膜更加平整。
　　(3)無論Cu/InAlZnO還是InAlZnO/C u/InAlZnO，相對于單層InAlZnO薄膜電阻率都明顯下降。但Cu層的增厚會導(dǎo)致可見光透過率的顯著降低，不利于薄