ZnO薄膜晶體管的模型與新結構研究.pdf

1、氧化鋅薄膜晶體管由于具有透光性高，導電性高，光敏性低，制備成本、溫度低等很多優(yōu)勢，成為下一代有源矩陣液晶顯示器應用控制元件的首選者。由于制備工藝及溫度限制，目前的氧化鋅薄膜晶體管溝道層為多晶晶態(tài)，嚴重的影響著器件性能，也限制了其應用范圍。而針對氧化鋅多晶溝道與電性能改善的理論研究與分析尚處于初步階段。
　　 本文針對多晶氧化鋅薄膜晶體管提出一種新的載流子輸運以及能帶中缺陷態(tài)密度的模型。該模型考慮了多晶材料晶界處指數(shù)分布的帶尾態(tài)缺

2、陷態(tài)及能帶中央高斯分布的深能級缺陷態(tài)，經(jīng)過理論與實驗數(shù)據(jù)吻合驗證，該模型能夠很好的描述多晶氧化鋅薄膜晶體管的性能，并分析了各模型參數(shù)對其性能的影響。
　　 基于提出的模型，本文模擬了雙柵氧化鋅薄膜晶體管的性能改善與不同工作模式的性能。通過兩種不同工作模式的對比，利用電勢分布及電流密度分布，深入分析源漏接觸方式對ZnO TFT的影響機理。分析發(fā)現(xiàn)，在本文提出的雙柵ZnO薄膜晶體管中，頂接觸結構會增大等效溝道電阻，降低器件性能；而底